M2M energy saving strategy in 5G millimeter wave system

Telecommunication Systems - Machine to Machine technology has a broad application prospect in the 5G network, but there is a bottleneck in the energy consumption of intelligent devices powered by...     

使用光纤放大器的频分复用光纤传输系统

报道了一个使用光纤放大器的两路非相干频分复用光纤传输实验系统。系统采用国产ＤＦＢ激光器作光源，用意大利生产的光纤放大器作在线放大器，用自制的光学谐振腔作光学滤波器和解复用器，采用ＦＳＫ调制制式，将１４０Ｍｂ／ｓ非归零伪随机码传输了５０公里，得到了很好的眼图。在频道间距为１０ＧＨｚ情况下，未观测到邻道干扰和光纤放大器的非线性现象。     

一种无线电引信杆试验升降装置

针对目前广泛使用的无线电引信杆试验升降装置的不足，提供一种先进、简单、实用的升降装置，此装置主要由一体化减速、制动电机和控制电路组成，具有体积小、可靠性高、成本低廉等优点，是解决无线电引信杆试验测试弹升降问题的较好方案。     

乙烯项目的下游产品分析

以石脑油和加氢裂化尾油为原料的蒸气裂解工艺为模式，讨论了裂解产物及衍生物的下游市场。涉及化工领域的聚合、有机合成、医药、涂料、溶剂、香料及众多的高附加值化工产品的生产。提出了技术上重视精馏及每种馏分的有效利用，重视相关产品的开发动向及相应的技术观点。     

强酸强碱型离子交换树脂在水处理中的应用

强酸强碱性离子交换树脂用于水处理，能使水质达标，符合化工生产与锅炉运行的需要，可确保锅炉无垢长周期运行。     

一种环境侦察机器人的控制器

为方便控制环境侦察机器人现场作业,设计了一种环境侦察机器人的操纵装置.分析了环境侦察机器人及其控制装置的研究现状,在介绍了多种移动机器人的操作方式的基础上,根据环境侦察机器人工作性质的特殊性,提出了一种适合于环境侦察机器人的操纵装置的设计,并给出了操纵方法.     

气化炉油气掺烧技术探讨

简要叙述了九江合成氨装置五通道气化烧嘴掺烧干气试验过程，实践证明渣油掺烧干气工艺是可行的。通过对掺烧干气试验结果的理论分析，渣油雾滴的减小和雾化角的减小。使燃烧区上移，在保证渣油充分燃烧的前提下，减少火焰对气化炉壁的冲蚀，会有效增加装置运行周期。     

Pt-Sn工业重整催化剂失活过程金属分散性的原子尺度表征

重整催化剂活性铂原子的表面分散特性与催化剂的活性密切相关。借助球差校正扫描透射电子显微镜(Cs-STEM),针对金属Pt、Sn质量分数均为0.3%左右的低负载量的工业Pt-Sn/γ-Al₂O₃重整催化剂,采用STEM方法研究了不同工业状态下Pt原子在催化剂载体表面的分散特性。结果表明：新鲜催化剂中活性元素Pt以单原子或小原子簇形式分散,催化剂失活的过程是活性Pt原子不断聚集的过程;当Pt-Sn金属聚集体尺寸大到不能再生分散时,则催化剂活性无法恢复。本研究从工业剂角度给出了金属原子分散性与催化剂性能的构效关系。     

石墨固体自润滑材料研究现状

石墨材料的结构决定其自润滑的性能表现，并且在复杂环境下比在真空环境下表现出更好的润滑性能，石墨复合材料也表现出良好的润滑性能。但石墨材料的润滑性能并不与石墨含量成正比关系，同时石墨的粒度和结构形态都对其润滑性能有着重要的影响。固体自润滑材料大体分两类：整体自润滑材料和表层自润滑材料，而常见的整体固体自润滑复合材料的工艺方法有半固态铸造和粉末冶金两种。表层固体自润滑材料大多数是采用铸渗工艺。表层自润滑复合材料可以在保证基体材料本身具有优异力学性能的基础上具有自润滑、耐磨损等特殊性能，而且利用表层润滑大大节约了原材料和生产时间，因此表层固体自润滑材料成为将来研究发展的趋势。     

Difference in electron- and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors

Changes of the average brightness and non-uniformity of dark output images, and quality of pictures captured under natural lighting for the color CMOS digital image sensors irradiated at different electron doses have been studied in comparison to those from the γ-irradiated sensors. For the electron-irradiated sensors, the non-uniformity increases obviously and a small bright region on the dark image appears at the dose of 0.4 kGy. The average brightness increases at 0.4 kGy, increases sharply at 0.5 kGy. The picture is very blurry only at 0.6 kGy, showing the sensor undergoes severe performance degradation. Electron radiation damage is much more severe than γ radiation damage for the CMOS image sensors. A possible explanation is presented in this paper,