相似理论在真空灭弧室研究和设计中的应用

本文应用相似理论得出,真空灭弧室中电弧运动速度与电流强度成线性关系的相似准则,和极限开断电流与触头直径、开距间的经验公式。认为用小电流模型来研究大电流真空灭弧室是可行的。     

无源微波遥感用于地震预报的实验研究

对无源微波遥感用于地震预报在理论研究的基础上对不同岩性不同结构的岩石试件进行了加载实验，测量了岩石试件的微波辐射随载荷的变化．实验得出：岩石试件的微波辐射能量随岩石应力状态变化而显著变化；而且，不同的波段变化的幅度不同；同一波段不同极化方式的波随应力变化的变化量也不同；微波辐射能量的变化能够被卫星微波遥感探测器探测到．实验还发现，岩石试件临破裂前出现明显的微波辐射异常．     

复合轴控制系统应用研究

复合轴控制是提高光电跟踪系统精度和控制带宽的一种有效手段，尤其在光束定向器系统中，不仅要求系统要稳定地跟踪上动态目标，而且必须将光束涣定在目标的某一点上，这对控制系统的要求是非常高的，必须采用双或三复合轴控制方式。     

实时跟踪控制系统中的数字滤波技术

在高精度的实时跟踪控制系统中，由探测器等其他一些因素给系统带来的噪声将不容忽视，数字滤波将是滤除噪声的有效手段，，由于系统实时性和采样频率的要求，本文介绍几种时跟踪系统中常用的数字滤波方法，并对它们在实时跟踪系统中的作用进行了和比较。     

基于SOI的硅微谐振式压力传感器芯片制作

采用SOI硅片,基于MEMS技术,设计并加工了一种新型三明治结构的硅微谐振式压力传感器,根据传感器敏感单元的结构设计,制定了相应的制备工艺步骤,并且针对湿法深刻蚀过程中谐振子的刻蚀保护等问题,提出了一种基于氮化硅、氧化硅和氮化硅三层薄膜的保护工艺,实验表明,在采用三层薄膜保护工艺下进行湿法刻蚀10 h后,谐振子被完全释放,三层薄膜保护工艺对要求采用湿法刻蚀镂空释放可动结构具有较高的实用价值。最后对加工完成的谐振式压力传感器进行了初步的性能测试,结果表明,在标准大气压力下谐振子的固有频率为9.932 kHz,品质因数为34。     

组网火控雷达抗ARM跟踪技术

为了满足火控雷达抗反辐射导弹的对抗要求,提出了火控雷达脉冲间隔自适应变化的间歇跟踪方法;首先分析了单部雷达自适应变化脉冲间隔的间歇跟踪原理,给出了跟踪性能的评价指标;其次,为克服雷达局限,研究了组网火控雷达间歇跟踪技术;最后对跟踪效果进行了仿真;结果证明:采用组网雷达间歇跟踪方法可以同时实现对目标载机的准确跟踪和对反辐射导弹的有效对抗。     

综合能源互联网配电网故障定位与隔离的研究

基于"互联网+"的智慧能源互联网综合服务是互联网在电力行业的体现,充分利用了计算机技术、信息技术及人工智能技术等,具有信息的高效处理与状态的全面感知等优点,是实现万物互联互通的重要手段.现阶段配电网故障定位与隔离存在过程较繁琐、计算量及存储量大等缺陷,因此结合互联网中边缘计算的思想,提出一种基于综合能源互联网的配电网故障定位与隔离方法,设计了适用于综合能源互联网中配电网故障定位与隔离的模式与算法,实现了高效、快速定位的目标,同时减少了计算量与存储量,最后通过算例验证了方法的有效性.     

基于MMS替代协议的变电站安全通信技术研究及应用

目前,绝大多数变电站基于IEC61850标准建设,站内通信协议主要包括制造报文规范(MMS)、面向通用对象的变电站事件(GOOSE)、采样测量值(SMV)等,在工程应用实践中逐渐暴露出一些不足与安全隐患.为此,基于MMS替代协议,重点介绍了其实现的功能与安全防护技术.在功能方面,MMS替代协议增加了多个服务,并优化了现有MMS协议的不足;在安全防护技术方面,MMS替代协议的应用层实现了基于SM2算法与调度证书的双向身份认证,杜绝未授权设备的非法接入、攻击,从协议源头杜绝设备连接的不安全性;MMS替代协议的传输层实现了基于SM2算法与调度证书的全链路加密、认证,确保传输数据报文防伪造、防抵赖、防窃取,保护数据报文的机密性、完整性.测试结果表明MMS替代协议在工程应用中具有一定的参考意义.     

Sm~（3＋），Eu~（3＋），Tb~（3＋）等离子在低熔点玻璃中的光谱性质及

Ｓｍ￣（３＋），Ｅｕ￣（３＋），Ｔｂ￣（３＋）等离子在低熔点玻璃中的光谱性质及可见荧光的研究姜妍彦，王承遇，王继红（大连轻工业学院１１６００１）ＳｔｕｄｙｏｎＳｐｅｃｔｒａＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄＶｉｓｉｂｌｅＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅｏｆＳｍ￣（３...     

工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响

以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。