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Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
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全面风险管理理念已经兴起并形成了全面风险管理模式。全面风险管理模式有五个方面的特征,需要新的审计管理理论加以适应,这其中就包括了新的审计风险模型。新的审计风险模型结合全面风险管理理论和风险导向审计理论,侧重从内部审计的角度进行考虑,认为审计风险=企业总体风险中重大错报风险×检查风险。该模型能适应新形势下的审计要求,特别适用于内部审计部门。 相似文献
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基于四旋翼飞行器悬停状态下的位置及姿态信息,提出了一种离线的风场估计方法。首先根据Dryden大气紊流模型建立了四旋翼飞行器所处的风场环境,并通过分析有风情况下旋翼升力的变化,得到旋翼升力与风场信息(风速、风向)的函数关系式;接着利用牛顿-欧拉方法推导出有风扰动下的四旋翼动力学方程,并进一步设计了用于保持飞行器悬停状态的PID控制器;最后,基于悬停状态下四旋翼飞行器的位置姿态信息,计算得到飞行器所处的风场环境信息。MATLAB仿真结果表明所提方法在有紊流干扰的情况下,能够有效地提取出风场环境里的主风信息。 相似文献
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日益增加的户用光伏发电系统改变了配电网的潮流分布,同时对配电网的线损产生显著影响。为了便于量化分布式光伏电源(distributed photovoltaic generation,DPG)接入三相四线制低压配电网的运行经济性,文章以三相不平衡线损为研究目标,首先建立了适用于低压配电网平衡态和不平衡态的线损计算模型;通过引入DPG接入模式、位置及容量3种要素,建立DPG不同接入模式下的线损变化量模型;以此为基础,提出一种考虑DPG接入模式的有源低压配电网的三相不平衡线损计算方法。在进行计算时,所提方法既可利用实时电流数据,也可利用易采集到的有功电量数据进行计算。最后,以低压配电网的典型参数为例验证了该方法的准确性与可行性,说明此方法可为DPG单相、三相接入低压配电网的线损计算提供参考依据。 相似文献
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用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高. 相似文献