The Effect of the Charge Fluctuation of Dust Parti-cles on Ion-acoustic Wave Excited Through Ionization Instability

The effect of the charge fluctuation of dust particles on ion acoustic wave (IAW) excited through ionization instability was investigated. The hydrodynamic equations and linear time-dependent perturbation theory served as the starting point of theory, by which the dispersion relation and growth rate of the IAW were given. By comparing the results with the case of constant dust charges, it was found that the charge fluctuation of dust particles reduces the instability of the wave mode.     

Cu/MgO界面位错的高分辨电子显微镜研究

用高分辨透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究，观察到了取向关系相同的两种不同界面。并运用近重位点阵模型对其界面结构进行了研究，求出了失配位错的3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量，它们分别为：b1^→=1/4[011]MgO,b2^→=1/2[100]Cu,b3^→=1/4[01^-1]MgO;b1^→′=1/12[101]Cu(或1／99[755]MgO),b2^→′=1/12[101^-]Cu（或1/99[75^-5^-]MgO),b3^→′=1/6[010]Cu(或1／10[01^-1]MgO)失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好。     

非对称耦合量子阱的二次谐波产生与量子阱参数关系研究

采用反射式二次谐波产生 (SHG)方法对非对称Ⅱ Ⅵ族耦合量子阱Zn1 -xCdxSe ZnSe的非线性光学特性进行了研究。非中心对称性和阱间耦合效应在很大程度上增强了材料的非线性效应。发现在入射光和反射光均为p偏振 ,以及入射光和反射光分别为s偏振和p偏振两种情况下 ,SHG信号都随Cd含量x的增大而减小。与ZnSe基体材料相比 ,非对称耦合量子阱 (ACQW)在可见光波段的SHG信号增强一个量级以上。同时发现SHG信号随入射光偏振角的变化而周期性地变化。     

激光辐照光学材料热力效应的解析计算和损伤评估

光学元件的损伤是高功率激光技术发展的一个瓶颈，为此以连续CO2激光辐照K9玻璃为例，研究了连续激光辐照光学材料的热力损伤机理。通过积分变换方法，求解热传导和热弹性力学方程组，由此得到激光辐照引起的温度场和热应力场的瞬态分布。研究中发现在高斯光束作用下，热扩散长度的概念不再适用，因此通过曲线拟合方法，推导出最大热应力的位置与辐照时间的关系，并由此计算出材料的损伤阈值。由于K9玻璃的应力损伤阈值小于熔融损伤阈值，因此当激光作用引起的环向热应力大于材料的抗拉强度时，材料发生永久性损伤，损伤形态为拉伸解理。将理论模型的相关结论与实验结果相对比，两者吻合得很好。     

HIRFL-CSR电子冷却装置电子枪的参数测试

在用实心电子束对离子进行冷却过程中，束流累积会增强电子离子重组概率和空间电荷效应而引起束流损失。针对这个问题，HIRFL-CSR电子冷却装置采用了一种能够产生从实心到空心电子束且电子束密度连续可调的特殊电子枪设计。本文介绍电子枪的结构及工作特点，给出一些主要参数的实验结果，并通过理论计算分析了用空心电子束进行冷却的优点。      

人小肠粘膜免疫酶的定位研究—光镜和电镜免疫组织化学染色法

本文对免疫酶组织化学的样品制备程序和染色方法做了详细的阐述。用直接法、间接法和ABC法,对人小肠免疫酶的定位,进行了光镜和电镜的观察,染色阳性反应显著,获得了满意的效果。并对染色技巧做了分析和探讨。     

Ti-6Al-4V合金的动态控制等离子焊接(英文)

介绍了一种新的动态控制等离子焊接工艺。该工艺能够在保持完全焊透的情况下减少对被焊材料的热输入。利用该工艺对Ti-6Al-4V合金实施平板对焊。利用光学显微镜、扫描电镜(SEM)和显微硬度计对焊接接头的显微组织、断口形貌和显微硬度进行表征。与钨极电弧焊接和常规的等离子焊接相比较,使用本工艺提高了焊接质量,其原因在于:1)由于热输入的减少,焊缝中先析出的β相晶粒大幅度减少,从而使马氏体的形成得到抑制;2)焊接接头具有更好的韧性和更高的硬度。     

Ce—Si多层膜中铈硅化物的形成

超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。     

氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察

采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术,在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下,观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下,氢离子注入缺陷层基本没有变化,在６５０℃保温时,缺陷的密度逐渐降低,样品中薄区域部分的缺陷在保温２０ｍｉｎ后消失,而厚区域部分在保温４０ｍｉｎ后仍存有部分缺陷,说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象,提出氢可能是以Ｈ２分子的形式扩散的