首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1544299篇
  免费   32375篇
  国内免费   9544篇
电工技术   37592篇
技术理论   10篇
综合类   10301篇
化学工业   279321篇
金属工艺   67533篇
机械仪表   46033篇
建筑科学   51463篇
矿业工程   13386篇
能源动力   52120篇
轻工业   113548篇
水利工程   15950篇
石油天然气   41679篇
武器工业   664篇
无线电   203158篇
一般工业技术   287728篇
冶金工业   154896篇
原子能技术   34756篇
自动化技术   176080篇
  2021年   17800篇
  2020年   13663篇
  2019年   16184篇
  2018年   17363篇
  2017年   16909篇
  2016年   23079篇
  2015年   19863篇
  2014年   31748篇
  2013年   91503篇
  2012年   38807篇
  2011年   51196篇
  2010年   45999篇
  2009年   54303篇
  2008年   47449篇
  2007年   44551篇
  2006年   47591篇
  2005年   41999篇
  2004年   42971篇
  2003年   42604篇
  2002年   41821篇
  2001年   38175篇
  2000年   36745篇
  1999年   35861篇
  1998年   42110篇
  1997年   38141篇
  1996年   35070篇
  1995年   30857篇
  1994年   29032篇
  1993年   28601篇
  1992年   26513篇
  1991年   23466篇
  1990年   23721篇
  1989年   22803篇
  1988年   21306篇
  1987年   19414篇
  1986年   18747篇
  1985年   22076篇
  1984年   22307篇
  1983年   20267篇
  1982年   19286篇
  1981年   19366篇
  1980年   17966篇
  1979年   18476篇
  1978年   17752篇
  1977年   17473篇
  1976年   18312篇
  1975年   16034篇
  1974年   15491篇
  1973年   15581篇
  1972年   13076篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
2.
Multimedia Tools and Applications - Remote Sensing categorical signature classification has gained significant implications on spatial resolution image analysis due to differences in the...  相似文献   
3.
4.
Journal of Materials Science -  相似文献   
5.
6.
Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
7.
Journal of Communications Technology and Electronics - A quantitative comparison of the spectral characteristics of the human visual system and matrix photodetectors is carried out. Criteria for a...  相似文献   
8.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
9.
Wireless Personal Communications - Chronic kidney disease (CKD) is a gradual loss of kidney function over the period of time and it is irrevocable once functionality reaches the critical state....  相似文献   
10.
Xiao  Zhu  Chen  Yanxun  Jiang  Hongbo  Hu  Zhenzhen  Lui  John C. S.  Min  Geyong  Dustdar  Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号