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Marchenko  A. V.  Seregin  P. P.  Terukov  E. I.  Shakhovich  K. B. 《Semiconductors》2019,53(5):711-716
Semiconductors - The formation of antisite defects in Ge20Te80 and Ge15As4Te81 vitreous alloys in the form of tin atoms in tellurium sites and tellurium atoms in germanium sites is shown by...  相似文献   
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Glass Physics and Chemistry - Emission Mössbauer spectroscopy on 119mmSn(119mSn), 119Sb(119mSn), 119mTe(119mSn), 125mTe(125Te), 125Sb(125Te), 125Sn(125Te), and 129mTe(129I) isotopes is used as...  相似文献   
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Technical Physics Letters - It is shown using Mössbauer spectroscopy on 61Cu(61Ni) isotopes that dielectric metal oxides of divalent copper exhibit combined quadrupole and Zeeman interaction...  相似文献   
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