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1.
史顺金 《浙江理工大学学报》1997,(1)
在日语句子中,“场所/物体(上位)词+方位(下位)词”是处所表述的常用形式,但在表示动作结果留存的处所意义时,往往省略下位词,而仅用上位词表达。本文就这一语言习惯进行了探讨,认为它主要依据两个条件:其一,人们对下位处所的一致认识;其二,特定的谓语动词对下位处所起到补足作用。 相似文献
2.
Rengang Zhang Baoyi WangLong Wei Xin LiQianshan Xu Shunjin PengIbrahim Kurash Haijie Qian 《Vacuum》2012,86(8):1210-1214
ZnS thin films with the hexagonal structure have been produced by sulfurizing sputter deposited Zn in sulfur vapor for 1 h. These films have been analyzed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (SR-PES), Auger electron spectroscopy (AES) and UV-VIS transmission spectra. It is found that at the sulfidation temperature (TS) of 400 °C a little and partial Zn can be transformed to ZnS. At TS = 500 °C, the total conversion of Zn in sulfur vapor can take place and form ZnS with a c-axis preferred orientation. The Zn-to-ZnS conversion is kinetically a reactive diffusion process. Also the ZnS thin film has much greater size of grains than the as-deposited Zn film, due to ZnS recrystallization and growth in sulfur vapor. Residual sulfur existing on the surface of ZnS grains leads to the poor optical transparency and great broadening of absorbing edge in the optical transmittance. However, ZnS thin film prepared by gradient sulfidation exhibits the improved optical transmittance, with a band-gap energy of 3.64 eV. 相似文献
3.
4.
采用反相色谱法(IGC)测定了聚乙二醇(PEG)的溶解度参数以及溶剂与PEG相互作用的溶解焓,混合焓和蒸发焓。结果:烷烃类溶剂溶解PEG为吸热反应,是PEG的非溶剂;甲苯,乙酸乙酯溶解PEG为放热反应,是PEG的良溶剂。所得结果与前文结论相一致。 相似文献
5.
6.
史顺金 《浙江理工大学学报》1995,(4)
日本人的口头语言中,频频使用省略讲法,呼应性省略是其中之一。对此,本文从句子结构和语言环境两个方面进行探讨,认为只用前置词就能表达完整意思,是呼应性省略讲法不同于其它省略讲法的独特之处。 相似文献
7.
Preparation and application in p-n homojunction diode of p-type transparent conducting Ga-doped SnO2 thin films 总被引:2,自引:0,他引:2
Tieying Yang Huan-hua Wang Quanjie Jia Baoyi Wang Kurash Ibrahim Qing He 《Thin solid films》2010,518(19):5542-5545
The direct preparation of p-type transparent conducting Ga-doped SnO2 thin films and their fundamental application in transparent p-n homojunction diode were realized. The films were grown in an active oxygen ambient using reactive rf magnetron sputtering without post-deposition annealing involved. This method improved the electrical properties of the films while maintaining their optical transparency. By growing a p-type thin film on commercial n-type SnO2:F-coated glass, transparent p-n homojunction diode was obtained. It exhibits a distinct current-voltage rectifying characteristic, manifesting this p-type thin film and the fabrication technology are suitable for industrial applications. 相似文献
8.
A procedure for comprehensive investigation of the fretting-fatigue damage of metals and structural alloys is described. A specific feature of the procedure is the possibility to measure and monitor the main mechanical parameters of fretting fatigue using a personal computer for primary processing and accumulation of test data in real time. The procedure developed makes it possible to reduce considerably the experimental error and to increase the informativeness and efficiency of experiments. The magnitude of electric microcurrents in fretting pairs during testing is used as the parameter for the estimation of the level of damaging processes of nonmechanical nature. 相似文献
9.
10.
我们在端点化合物LaFeO3中掺入Cr^3 ,制备了LaFe1-xCrxO3体系的系列样品。经XRD分析证明所制备的样品为单相体系,用MarqX程序对XRD数据进行分析得到其晶格常数。分别测定了入射光子能量在Fe2p吸收边以下和以上的O1s芯能级谱。从电子结构角度探讨了该体系晶体结构变化趋势。初步得出结论:随着Cr^3 掺杂量在LaFe1-xCrxO3中的增加,O2p向Cr 3d的电荷转移量也发生有规律的变化。 相似文献