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采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
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Peiying Wang Juanli Zhao Yun Fan Wei Zhang Yuanyuan Cui Liangmiao Zhang Bin Liu Hongqiang Nian Yiran Li 《Ceramics International》2021,47(11):15023-15029
In this work, the composition-dependent point defect types and formation energies of RE2Hf2O7 (RE = La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu and Gd) as well as the oxygen diffusion behavior are systematically investigated by first-principles calculations. The possible defect reactions and dominant defect complexes under stoichiometric and non-stoichiometric conditions are revealed. It is found that O Frenkel pairs are the predominant defect in stoichiometric pyrochlore hafnates. Hf-RE cation anti-site defects, accompanied by RE vacancies and/or oxygen interstitials, are stable in the non-stoichiometric case of HfO2 excess. On the other hand, RE-Hf anti-site defects together with oxygen vacancies and/or RE interstitials are preferable in the case of RE2O3 excess. The energy barriers for the migration along the VO48f - VO48f pathway of pyrochlore hafnates were calculated to be between 0.81 eV and 0.89 eV. Based on these results, a defect engineering strategy is proposed and the pyrochlore hafnates investigated here are predicted to exhibit potential oxygen ionic conductivity. 相似文献
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调度作为计划层和执行层的纽带,是智能型工厂的主要组成部分.对此,从炼油生产装置调度的角度,对炼油调度问题进行综述与分析.首先对炼油生产调度建模问题的研究现状进行阐述,介绍目前该领域建模方面考虑的因素;其次,对炼油生产调度的各种优化方法进行总结综述;最后,结合目前的信息技术和智能制造的发展趋势,分析炼油生产调度所面临的挑战和未来的研究方向. 相似文献