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1.
2.
张鹏  丰梦  陈伟  杨鑫  周洁  胡东林 《变压器》2021,58(9):58-62
本文中作者研究了温度对油浸式变压器绝缘纸老化水平的影响,开展了频域介电谱测试得出不同的试验温度下绝缘纸的电导率频域谱.推导了温度、电导率和相对介电常数之间的作用情况,并进行实例验证.  相似文献   
3.
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5.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。  相似文献   
6.
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8.
9.
In this work, the composition-dependent point defect types and formation energies of RE2Hf2O7 (RE = La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu and Gd) as well as the oxygen diffusion behavior are systematically investigated by first-principles calculations. The possible defect reactions and dominant defect complexes under stoichiometric and non-stoichiometric conditions are revealed. It is found that O Frenkel pairs are the predominant defect in stoichiometric pyrochlore hafnates. Hf-RE cation anti-site defects, accompanied by RE vacancies and/or oxygen interstitials, are stable in the non-stoichiometric case of HfO2 excess. On the other hand, RE-Hf anti-site defects together with oxygen vacancies and/or RE interstitials are preferable in the case of RE2O3 excess. The energy barriers for the migration along the VO48f - VO48f pathway of pyrochlore hafnates were calculated to be between 0.81 eV and 0.89 eV. Based on these results, a defect engineering strategy is proposed and the pyrochlore hafnates investigated here are predicted to exhibit potential oxygen ionic conductivity.  相似文献   
10.
陈远东  丁进良 《控制与决策》2022,37(9):2177-2188
调度作为计划层和执行层的纽带,是智能型工厂的主要组成部分.对此,从炼油生产装置调度的角度,对炼油调度问题进行综述与分析.首先对炼油生产调度建模问题的研究现状进行阐述,介绍目前该领域建模方面考虑的因素;其次,对炼油生产调度的各种优化方法进行总结综述;最后,结合目前的信息技术和智能制造的发展趋势,分析炼油生产调度所面临的挑战和未来的研究方向.  相似文献   
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