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1.
在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。 相似文献
2.
将环隙式离心萃取器(ACCs)与电喷雾飞行时间质谱(ESI-TOF-MS)相结合,在线监测了回收过程中的钨萃取行为(宏观)和钨形态的转化路径(微观),发现宏观萃取反应和微观离子形态转化同时发生并相互补充。伯胺N1923萃取钨在144 s内即可达到萃取平衡,萃取率高达98%以上,同时,酸钨比n(H)/n(W)是一个关键变量,当酸钨比n(H)/n(W)=2.4时,全流程钨回收率超过93%。最后,得到了基于钨形态监测的萃取机理,同时,减少原料液中W1含量,增加W10含量,可有效提高钨回收效率。 相似文献
3.
在制导炸弹半实物仿真试验中经常发现,同一发制导炸弹多次仿真的俯仰角差别较大,同一批次制导炸弹投弹试验的遥测俯仰角与仿真俯仰角差别也较大,但是俯仰角的收敛趋势均一致,实测脱靶量与仿真脱靶量都合格,且具有一致性。为了分析出现上述现象的原因,基于协方差分析描述函数法(CADFT),建立了制导炸弹半实物仿真系统的误差传播理论,计算了仿真姿态角和姿态角速度的误差。分析了仿真姿态角和姿态角速度的误差对仿真结果的影响。结果表明,在仿真系统各种误差中,气动力和气动力矩误差是主要误差,是引起仿真俯仰角差别的重要原因; 姿态角的动态验模方法不适用于制导炸弹仿真模型,而脱靶量的静态验模方法适用于制导炸弹仿真模型。 相似文献
4.
异构分层无线网络中基于逗留时间的动态流量均衡算法研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为使异构分层无线网络能服务更多的移动用户,提出了一种基于逗留时间的动态流量均衡算法.该算法首先根据用户移动模型计算其在小区内的逗留时间,然后基于小区呼叫到达率和重叠覆盖小区的流量状态来确定一个周期内呼叫转移的数量,最后依据逗留时间门限值将重负载小区中满足条件的呼叫转移到轻负载的重叠覆盖小区中.为降低切换呼叫掉线率,还对异构网间的呼叫切换策略做了改进.仿真实验结果表明,本算法在新呼叫阻塞率和切换呼叫掉线率等性能指标上比传统方法有显著的提高. 相似文献
5.
计量用脉冲Nd:YAG倍频激光器及其电源 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了脉冲Nd:YAG倍频激光器双波长(1064/532nm)3种输出的激光光路。1064nm输出的动静比可达0.40;KTP晶体外腔倍频效率可达0.50。介绍了稳定可靠的调Q电路、逻辑控制电路和开关电源的主电路及其参数计算。 相似文献
6.
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
7.
8.
1 Introduction For increasing the output energy of laser, the pumping power must be enhanced. But the cooperative effect will arise and cause spontaneous radiation light in laser medium sample when the pumping power is high e- nough without the resonator. The spontaneous radiation light is coherent light between laser and fluorescent. It will compete the upper energy level population with ex- cited radiation, and the loss increase. In solid laser medium, such as Nd∶YAG, the Nd ion densityi… 相似文献
9.
10.
源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
以高纯石墨作靶,CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜。拉曼光谱表明,CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I(D)/I(G)减小,晶粒增大,芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论,指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。 相似文献