网络安全事件的关联分析方法的比较研究

随着当前攻击手段和技术的日益复杂化,一次入侵事件往往需要多个步骤才能完成,这些步骤都是彼此相关的。但是传统的入侵检测集中于检测底层的入侵或异常,所检测到的结果也仅仅是一次完整入侵的一部分,所以不能将不同的报警结合起来以发现入侵的逻辑步骤或者入侵背后的攻击策略。关联分析技术将不同分析器上产生的报警进行融合与关联分析,极大地减少了报警的数量,降低了入侵检测的误报率,并且适当的减少了入侵检测的漏报率。文中在对网络安全事件关联分析方法的系统结构进行分析后,着重介绍了当前比较流行的几种网络安全事件关联分析方法,最后对各种方法进行了比较研究。     

基于共同好友数的在线社会网络社区发现算法

为了快速准确地找到在线社会网络的社区结构,提出了一种基于共同好友数和节点邻居信息的社区结构发现算法。该算法以共同好友数最多的两个节点为初始社区,不断寻找与社区连接性最强的节点,并以节点Q值为衡量标准,判断是否将该节点加入到初始社区中,最后根据节点邻居所在初始社区信息确定最终的社区划分。针对两个经典社会网络和人工生成网络数据的实验划分结果表明,该算法是可行和有效的。     

企业网络安全系统的建设策略

本文从网络安全含义入手,对企业网络安全威胁、网络安全技术进行了分析和讨论,为企业网络建设提供理论参考。同时提出了企业网络安全系统的建设策略。     

丙烯酸系粘合剂发展现状及趋势

本文综述了国内外国前丙烯酸系胶粘剂发展现状,并针对国内“九．五”发展要求提出相应的建议．     

大坝安全监测系统综合评价:（Ⅰ）基本体系

大坝安全监测系统综合评价越来越受到重视,但目前尚未形成明确的评价体系和方法。文中构建了以监测设计评价、单项监测系统评价（包括现场调查、现场测试和长期观测精度分析）、自动化系统可靠性评价以及监测管理工作评价为基本指标的综合评价指标体系,提出了单项评价指标和监测系统整体工作状态的评价等级划分方法及标准,可为大坝安全监测系统综合评价实践提供可资借鉴的方法,并可为将来制定大坝安全监测系统综合评价的相关规范提供依据。     

Study of silicon-on-insulator substrates incorporated with buried MoSi2 layer

Silicon-on-Insulator (SOI) substrates incorporated with buried MoSi₂ were fabricated using room temperature plasma bonding technology and smart cut technology. The molybdenum disilicide phase formation and morphology were studied by means of four-point probe measurements, X-ray diffraction analysis, atomic force microscopy and transmission electron microscopy examination. It is found that the transition of high-resistance phase Mo₃Si to low-resistance phase h-MoSi₂ occurs at approximately 750 °C. The t-MoSi₂ phase emerges at approximately 900 °C. SOI substrate incorporated with buried silicide layer of complete t-MoSi₂ phase can be achieved by 900 °C annealing for 20 min.     

一种新的IP路由表快速搜索技术

随着因特网的飞速发展以及128位地址的IPv6的出现,路由表变得日益庞大,这给IP目标地址的查找速度提出了更高的要求。另外最长前缀匹配技术的出现使过去传统哈希搜索技术不再适用。为此,论文针对现有IP查找技术的缺点和不足,提出了一种新的二叉搜索算法。文中还对新的路由表数据结构进行了详细描述,并给出了该算法的一种软件实现方案。这种算法具有良好的可扩展性,不需要对现有协议进行改动,在实践中证明其具有良好的报文转发性能。     

压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列

采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。     

用于相变存储器的超低输出纹波2X/1.5X电荷泵

本文针对相变存储器编程驱动电路,提出了一种超低输出电压纹波的开关电容型电荷泵。该电荷泵可根据输入电压的不同,自适应工作在2X/1.5X升压模式之间,以获得更高的电源转换效率。相比于传统开关电容型电荷泵,在充电阶段泵电容被充电至预先设定的电压值Vo-VDD(Vo为预期的输出电压);放电阶段,泵电容串联在输入电压VDD与输出端,通过此方法将电荷泵输出端电压稳定在Vo,并有效的降低了由于电荷分享所造成的输出纹波。在中芯国际40nm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真验证,结果表明在输入电压为1.6-2.1V,输出2.5V电压,最大负载电流为10mA,输出电压纹波低于4mV,电源效率最高可达91%。