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用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C∶F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C∶F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C∶F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C∶F之间没有明显的界面层. 相似文献
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随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。 相似文献
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首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。 相似文献
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低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分布 ,降低了薄膜中 Si- O键的极性 ,导致 Si- O键伸缩振动吸收峰发生蓝移。同时氟的掺入抑制了强极性 Si- OH键的形成。这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低 ,因而使薄膜介电常数减小。对 Si- F吸收峰的高斯拟合表明 ,在氟含量较高时 ,薄膜中掺入的氟一部分会以 Si F2 结构存在。由于 Si F2 结构稳定性较差 ,易与水汽发生作用 ,因而高氟掺杂的 Si OF薄膜易吸水 ,并使薄膜性能变差 相似文献
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(La,Ce,Tb)(PO4,BO3)绿粉的合成及发光研究 总被引:3,自引:0,他引:3
首次用磷酸硼和稀土氧化物为主要原料制备铈、铽共激活的硼磷酸盐绿色荧光粉,并对C3^3+-Tb^3+的能量传递进行了研究,发现在该基质中Ce^3+、Tb^3+间的能量传递为电多极子相互作用的共振传递,能量传递效率可高达90%。还研究了助熔剂对荧光粉粒度和发光特性的影响,实验结果表明,加了助熔剂后增强,光的纯度也得的改善。对不同基质荧光粉的研究发现,用硼磷酸盐绿粉比用硼酸盐和磷酸盐绿粉更适合做三基色粉 相似文献
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非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
以TefonAF1600为原料,用旋涂法制备了非晶含氟聚合物(AF)薄膜,通过扫描电镜(SEM),傅立叶转换红外(FTIR)光谱和X射线光电子(XPS)光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征,所得薄膜具有无针孔,较光滑和平整的表面,300℃退火后薄膜表面的均匀性进一步改善,AF薄膜的300℃以下具有良好的热稳定性,在400℃退火后CF3吸收峰强度稍有降低,在400℃退火后,其所含的CF3键合构型显著降低,CF2,CF等其它构型没有明显的变化,由于CF3基团的分解有少量无定型碳生成。 相似文献