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1.
对三元系PMN—PZT压电陶瓷的凝胶注模成形工艺进行了研究,重点讨论了分散剂加入量、pH值、球磨时间与注模浆料流变之间的关系,当分散剂用量为0 .95 %~1 .0 5 % ,pH值为10 .5~11 .5 ,球磨时间为8h时,可以制备出固相含量为5 5 % ,粘度小于1Pa·s的PMN -PZT压电陶瓷悬浮体。将凝胶注模与传统模压成形工艺制备的样品进行了比较,通过扫描电镜(SEM )显微形貌分析和电学性能测定。结果表明:凝胶注模工艺制备的样品与模压工艺制备的样品相比较,其显微结构均匀致密、晶粒大小与晶界分布均匀,气孔率更小,电学性能更均匀。 相似文献
2.
介绍了以VRML为工具,将电子陶瓷的制备工艺、结构检测、性能测试以及实验结果数据处理等内容,采用交互式多媒体开发网上三维虚拟实验室的主要关键技术,内容包括三维建模、ASP实现动态数据查询、Java实现数据通讯和交互Web页面合成等。 相似文献
3.
4.
5.
An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal Ge or/and GeO2 on the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V2O5 and Y2O3 are 0.5 mol%, respectively, co-doping with 0.3 mol% Ge and 0.9 mol% GeO2 makes the highest α value (α = 12.8), the lowest breakdown voltage V1mA (V1mA = 15.8 V/mm) and the highest grain boundary barrier ΦB (ΦB = 1.48 eV), which is remarkably superior to the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics undoped with Ge and GeO2 and mono-doped with Ge or GeO2. The TiO2-V2O5-Y2O3-Ge-GeO2 ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties. 相似文献
6.
研究了Sn-20Bi-0.7Cu-xAg焊料凝固和时效过程中的物相生长动力学。通过实验和数值分析相结合分析了Ag含量和时效条件对界面结构和生长的影响,实验中对Sn-20Bi-0.7Cu分别添加了质量分数0.1%、0.4%、0.7%、1.0%、1.5%的Ag。为验证焊接接头的服役可靠性,在85℃和85%的湿度条件下,将接头放置0、10、30、50、100、200和500 h。采用扫描电镜等设备分析时效过程中界面化合物的形貌、厚度和分布,分析了β-Sn的形核界面和取向。结果表明,焊料中Ag含量的增加可以抑制界面Cu6Sn5层的生长,等温时效期间金属间化合物(Cu6Sn5+Cu3Sn)的生长为扩散控制机制。焊接时形成的扇贝状表面在时效时消失,这表明在垂直于界面方向上的生长机制变为稳定性增长,说明Ag3Sn有效降低了Cu6Sn5的生长动力。 相似文献
7.
8.
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)作为发泡剂,凝胶注模结合发泡法制备多孔氧化铝陶瓷.研究了发泡剂SDBS的添加量对多孔氧化铝陶瓷的气孔率、孔径尺寸及气孔分布和抗弯强度的影响.研究结果表明,在一定范围内随发泡剂SDBS添加量的增加,总气孔率和闭气孔率会有明显的上升趋势,孔径尺寸差异逐渐变小,气孔分布的均匀性逐渐变好.当SDBS的添加量超过1.0wt% 后,气孔率虽然无明显变化,但是样品孔径尺寸及气孔分布的均匀性均变差,样品的抗弯强度随着SDBS用量的增加有明显降低的趋势.当SDBS的添加量为1.0wt% 时,可以制备出闭气孔率为49%,抗弯强度为35 MPa,孔径尺寸及气孔分布均匀的多孔氧化铝陶瓷. 相似文献
9.
10.
1200℃Mo-Si-C三元系组元化学势稳定性相图 总被引:1,自引:1,他引:1
收集并计算了Mo Si C三元系在 12 0 0℃下各组元化合物的热力学数据。利用Mo Si C三元系在该温度下的平衡相图以及收集计算的热力学数据 ,计算了该三元系中各组元的化学势 ,并作出了相应的化学势稳定性相图。讨论了热力学、物质平衡和动力学原则在固态置换反应原位合成复合材料中的应用。对于MoSi2 SiC复合材料的原位合成 ,可以确定反应起始物为Mo2 C和Si。利用Mo Si C三元系 12 0 0℃下的平衡相图和组元化学势稳定性相图分析了固态置换反应原位合成MoSi2 SiC复合材料可能的反应路径。 相似文献