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氟化镁单晶体与多晶体成膜后薄膜耐磨性分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
分析了氟化镁单晶体与多晶体膜过程的行为,得到了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论,给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件:350℃退火2h.  相似文献   
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