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导电银浆是一种重要的电子材料,可以提高电子器件的连接和传输效率,广泛应用于太阳能和电子工业领域。目前导电银浆的制作流程繁琐,通常使用纳米银等成本较高的填料以保证良好的导电性。本研究采用惰性气体冷凝法制备了纳米晶/非晶复合铜锆银粉,通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等方式对其微观结构和形貌进行了表征,并将其作为导电填料制备了导电银浆,测量了含有不同复合铜锆银粉添加量的导电银浆高温烧结后样品的导电性。实验结果表明,通过惰性气体冷凝法制备的纳米晶/非晶复合铜锆银粉尺寸分布均匀,平均尺寸约为35nm;当纳米晶/非晶复合铜锆银粉添加量为0.5%-1.5%的导电银浆导电性得到优化,其中,纳米粉的添加量为1%时,方阻最低,达5.63 mΩ/□。 相似文献
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