InSb红外探测器结构杜瓦瓶烘烤放气分析

一、前言大部分红外探测器都在低温、真空环境下工作,需要致冷器。红外探测器结构杜瓦瓶(以下简称杜瓦瓶)是致冷器的一种,它既是探测器的组成部分,又是致冷剂的贮存装置。杜瓦瓶内残余气体种类和数量直接影响探测器的性能和致冷剂贮放时间。杜瓦瓶一般分为金属和玻璃两种类型,玻璃类型用得较多。为了保证杜瓦瓶的静态真空度,同一般电真空器件一样,必须选材合理、密封可靠、除气彻底、消气有     

关于YAG:Nd晶体的生长速率问题

钇铝石榴石晶体的研究是从1951年开始的。自1964年YAG:Nd晶棒在贝尔实验室用于激光器后,有了很大发展。国外在研究YAG:Nd激光器同时,十分重视晶体的基础研究。正因为如此,1968年在完成     

红外晶体Hg_(1-x)Cd_xTe的斑缺陷

前言近代红外探测器件的重要材料Hg_(1-x)Cd_xTe晶体是一种HgTe-CdTe组成的连续固溶体。从HgTe-CdTe膺二元系相图看,由于液线与固线分离比较宽,CdTe有很大的分凝。由于分凝效应,Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的化学组份无论轴向或径向分布都存在着不均匀性。因此,有时在晶体的局部存在着难以消除的缺陷。其中最常见的是斑缺陷。这种斑缺陷在金相显微镜下观察时,往往呈现发亮的斑痕形貌。所以,国内的研究通常称之为“亮斑”。而在国外研究     

用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷

用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前,     

富碲碲镉汞液线温度的测量——富碲碲镉汞相图研究之一

由于碲镉汞单晶在熔体生长中比较难于获得符合化学计量比的晶体,常常由于晶体的组份不均匀性和晶体结构的不完整性造成器件研制工艺的困难。碲镉汞晶体组份的不均匀性及结构不完整性主要是由于在晶体生长中的高汞压以及赝二元系固液相线的距离宽所致。为了克服上述困难,近年来国外连续发表了有关液相外延生长碲镉汞的方法,同时发表了有关富碲三元系碲镉汞液相外延研究工作,并报导了有关富碲角碲镉汞相图的资料。在富碲角相图的研究中最先应该解决的是富碲碲镉汞合金的凝固点的测量问题。正如我们在发表赝二元系碲镉汞相图前曾对碲镉汞合金材料的熔点进行测定一样,这个问题的解决对富碲碲镉汞相图研究同样是个     

MOCVD法在GaAs衬底上生长CdTe的研究

本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。所采用的有机金属源——二甲基镉和二乙基碲及其包装鼓泡钢瓶,是化工部光明化工研究所首次研制成功的。     

Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S.E.M和电子衍射以及用X射线能谱进行了研究和测量。     

Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。     

富Te碲镉汞母液的动态液相温度测量

掌握富Te碲镉汞母液的动态液相温度,对提高外延生长成膜率具有重要意义。本文报道在碲镉汞液相外延生长动态环境中,应用差热分析法测定母液的液相温度。动态测量会遇到许多问题:1)母液的熔化和降温生长时,汞压的变化而引起母液组分的变化2)附加汞的存在,氢气流不易控制而造成压力的变化,导致测量不易获得良好的重     

我国窄禁带半导体器件和材料理化研究近况——对第五届全国红外技术交流会议中部分理化研究报告的评述

第五届全国红外科学技术交流会议期间发表的论文中,关于红外探测器和材料研究理化分析方面的论文约占30％,即每三篇就有一篇是理化分析方面的论文。这标志着国内红外科技的迅速发展中作为基础研究的理化分析工作正在深入发展。本届交流会上光电材料器件方面的理化分析文章五倍于热电方面。这表明人们主攻的目标是开展窄禁带半导体的基础研究。因而本文将主要对窄禁带半导体材料和器件基础研究中的理化分析工作加以介绍,对热电器件和材料不作叙述。