SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究

采用从头计算(ab initio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质.在S1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连.在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子.随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低.与w缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15 eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合.     

新型化学除锈剂

本文提出一种新型化学除锈剂,系由水溶性聚合物,螯合剂及其它添加剂所组成。将这种糊状组成物涂刷在生锈的金属表面,在清洗过程中,糊状物逐渐固化成一层包囊状簿膜,清洗作用结束后,这种簿膜和锈蚀物很容易从金属的干净表面剥离掉。本文讨论了本除锈剂的基本成份、配方、特性、功能和选择原则,并考察了各种因素对清洗的效果。     

电光源用钼窄带的研制

通过与钼箔加工工艺的对比分析，提出了钼窄带的加工工艺流程。通过工艺实验，确定了钼窄带加工过程中各工序的工艺参数，其中包括开坯温度、开坯加工率、冷轧加工率及退火温度     

菠菜冬瓜汁复合饮料的研制

在分析菠菜和冬瓜理化性质的基础上,利用二者营养上的特点,将它们分别榨汁,对其榨汁工艺、调配方法进行了系统的研究,确定了该饮料的最佳制作工艺,该产品的糖、酸含量分别为12％和0.12％。