辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.实验结果表明,本分析方法快速、准确,具有实际应用价值.     

X射线电子能谱

简称XPS,有时也称化学分析用电子能谱(Electron Spectroseopy for Chemical Analysis简称ESCA)。XPS技术是利用X射线直接激发试样表面原子的内壳层电子或价电子,收集并分析这些光电子能量就能确定其化学成分。此法可作半定量分析,对试样无破坏作用。     

电子探针X射线显微分析

简称EPMA或EPA,该技术是利用聚焦到1μ以下的高速电子流直接激发试样,由X射线能谱仪分析从试样发出的特征X射线的波长和强度,从而对试样的微小区域(大于1μ~3)的化学成分进行定性和定量分析,对试样的破坏作用较小。电子探针分析元素范围为4Be～92U,分析灵敏度为10~(-12)～10~(-14)g。近年来各国生产的大多数是电子探针与扫描电镜综合分析仪器,能同时研究微区成分、微观形貌、晶体结构等。     

PECVD生长纳米硅薄膜的X射线衍射分析

等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1°～5°)入射,延长X射线在薄膜中的行程,同时将聚焦光路改为平行光光路,以提高来自薄膜的衍射强度,得到纳米硅薄膜的衍射峰。借此方法,研究了本征膜和掺磷薄膜的硅晶体结构及掺磷浓度对硅晶粒大小和晶格微观畸变的影响。     

表面膜在氧化和腐蚀中的作用

金属材料的腐蚀及氧化速度在几乎所有情况下由其表面膜来支配。在几个单层以上的厚度范围内,这些膜可能是玻璃质的结晶态,并且某些性能可能与成分类似的大块材料的性能差别很大。研究这些膜应用了经过改进后的典型表面研究技术。     

铝和氧化铝表面的电子能量损失谱研究

用俄歇电子能谱仪测量在低的入射电子能量下二次电子弹性峰附近的损失结构,得到了电子能量损失谱。对于铝、三氧化二铝、铝表面吸附氧以及铝表面复盖薄氧化层的样品,其能量损失谱有明显的差别,主要是等离子损失峰的位置和强度的变化。纯铝的表面和体等离子损失能量为10.5eV和15.5eV,三氧化二铝的等离子损失峰位置移到12eV和21.5eV处;铝表面复盖薄氧化层时,其损失谱是铝和三氧化二铝损失谱的混合:铝表面吸附少量氧时,表面和体等离子损失峰的强度明显减弱,并出现与氧相联系的8eV损失峰。文中给出了不同入射电子能量下这些损失谱的变化,从中可以区分来自表面和体内的损失机理,同时对铝表面复盖薄氧化层的样品,提供了一个测量其氧化层厚度的方法。     

二次离子质谱和离子探针

二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy简称SIMS)和离子探针(Ion Microprobe Mass Analysis简称IMA)。二次离子质谱和离子探针是用隋性气体的离子束轰击试样表面,它与试样原子碰撞经复杂的相互作用后,电离出具有标识性的二次离子,分析这些离子的质荷比来确定表面的成分。这种方法在实际上对试样是有破坏作用的。     

俄歇电子能谱

俄歇电子能谱(Auger Eectfon Spectroscopy简称AES)。AES技术是利用聚焦的高速电子流直接激发试样,试样原子的内壳层受激留下空穴,被外壳层电子填补,这样,释放出的能量又激发出外壳层另一个电子—俄歇电子。检测俄歇电子的能量分布及强度就可以定性和半定量确定试样的表面成分。此法对试样的破坏作用很小。     

银触点失效的AES分析

前言 表面分析方法建立后,对各个学科及一些工业部门产生了很大影响,在电子元器是件上采用表面分析技术后,为产品的工艺、使用条件、产品质量的改进提供了依据,起了促进作用。据报道,电子元器件稳定性数据表明,失效的电子元器件中有39％与表面状况有关,其他28％与氧化、非金属化、导线或焊接缺陷有关,而这     

纳米硅薄膜的镜反射红外光谱研究

研究探讨了镜反射红外光谱在纳米材料方面的应用。通过等离子化学气相沉积法(PECVD),制备本征和掺磷的纳米硅薄膜(nc-Si：H),利用镜反射红外光谱研究了本征和掺磷的纳米硅薄膜的光谱特征。通过实验,发现这两种薄膜中都存在多氢键合方式,PECVD工艺参数如衬底温度、直流电压和掺杂浓度对薄膜结构具有一定的影响。