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人射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为10~3V/Cm。讨一论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时问变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。 相似文献
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光导开关产生的非线性电脉冲的传输特性 总被引:1,自引:0,他引:1
针对光导开关产生的非线性电脉冲进行合理化近似并建立数学模型。对非线性电脉冲的不同波形的传输特性进行了理论推导和数值求解,与中心频率相同的矩形脉冲和梯形脉冲的传输特性进行了比较。结果表明:上升沿愈陡,直线段愈水平时,非线性电脉冲与矩形脉冲的传输特性愈趋近。该结论为非线性光导开关在传输领域内的广泛应用提供了理论依据。 相似文献
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为了产生高功率电脉冲输出,提出了一种以雪崩光导开关作为Blumlein倍压装置的新型开关,然后以此产生高功率电脉冲系统的结构,应用Laplace方法从理论上求出雪崩光导开关导通电阻不为0时系统的输出。应用自制的实验装置产生了输出电压高达7000V、功率>1MW的短电脉冲波形,这是迄今为止国内利用单只雪崩光导开关产生的最高输出功率。 相似文献
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GaAs半导体对1.06μm激光的吸收响应 总被引:2,自引:0,他引:2
入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为10^3W/cm。讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。 相似文献
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以馈电脉冲为高斯脉冲为例,对瞬态电磁脉冲能量传输特性进行了简洁的理论解释和实验验证.首先以圆形电流辐射单元为例讨论其能量传输的三段式规律及验证,对圆形电流在远场处的辐射能量进行分析,辐射源可以看作点辐射源;其次以点辐射单元为前提研究并验证阵列辐射单元的三段式传输规律.瞬态电磁脉冲能量传输特性由多列瞬态电磁波的叠加造成,不是麦克斯韦方程存在光子解的结果. 相似文献
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介绍了以光导开关为核心的高压纳秒电脉冲系统组成.半绝缘GaAs光导开关在初始偏置电场26.7 kV/cm条件下受到1 ns、光能20 μJ、波长1 064 nm激光照射.根据SRH模型和有限元法计算载流子浓度和光导开关时域电阻,考虑Blumlein 传输线等效电容电压的时域变化,进行了输出脉冲的模拟计算.模拟和实验表明... 相似文献