基于TCS3200的多路颜色采集系统设计

新一代的数字颜色传感器TCS3200具备可对颜色实现快速和高精度识别的特点。传感器上有独特的片选引脚,当选择需要的颜色传感器时,其他的颜色传感器是不工作的,采集信号时可以抑制其他传感器工作带来的不利影响,实现了颜色的多路颜色采集。为了防止微控制器（MCU）控制多路采集的信号的不稳定性,提出了采用数据采集卡来采集颜色信息,只需要通过上位机提供地址信号来指定某一个颜色传感器工作。经验证,其采集同一物体颜色的波动性在3%以内,稳定性较好。     

LiF与TbF3二元系晶界扩散改善Nd-Fe-B磁性能研究

采用LiF和TbF_3混合二元系作为扩散源,通过晶界扩散法研究了不同厚度钕铁硼磁体扩散后磁性能变化规律。结果表明,在最优扩散条件下,6 mm磁体的矫顽力从1.05×10~6 A/m提高到1.71×10~6 kA/m,10 mm磁体从1.05×10~6 A/m提高到1.52×10~6 A/m,且退磁曲线仍具有较高的方形度,剩磁与磁能积也没有显著的降低。SEM图像表明,晶界扩散与表面扩散的共同作用,影响重稀土元素Tb和晶界相在磁体内部的分布,从而使磁体的矫顽力获得较大幅度的提升。     

Nd取代对Pr-Nd-Fe-B烧结磁体耐腐蚀性的影响

以HAST加速寿命试验后磁体失重,以及在不同腐蚀介质中磁体动电位极化曲线为表征,研究稀土元素Nd取代Pr对烧结Pr-Nd-Fe-B磁体耐腐蚀性的影响.结果表明:用Nd完全取代Pr后,磁体失重减小,室温下在0.1 mol/L HCl溶液、3.0 % NaOH溶液、3.5 % NaCl溶液中腐蚀电位不同程度地正移,表明磁体耐腐蚀性得到改善.通过场发射扫描电子显微镜观察HAST试验后磁体的微观组织形貌发现,Nd取代Pr后,晶界分布变得更加连续、清晰,且晶界交隅处的富稀土相含量减少,从而延缓了晶界腐蚀速率,使磁体的总体耐腐蚀性得到提升.      

基于椭流线法的LED射灯菲涅耳反射器设计

基于非成像光学中的边光原理和椭流线理论提出一种菲涅耳反射器设计方法。通过对光源的通量均分、椭流线虚实焦点的配对,以及光学仿真优化三个步骤实现对LED射灯二次均匀配光。该方法可避免引入色散,降低光学设计难度,并实现在目标面上光照度分布均匀的投射效果。模拟考察了距光源3m远,直径为1.2m的圆形平面上的实际效果,其中包括目标面上的照度分布和均匀性、安全性、机械加工公差等相关方面,仿真结果表明,设计是安全、可靠和可行的。     

基于色调单维度的相关色温计算

在考察现有相关色温的定义及在CIE1960UCS、CIE1976UCS和CIE1976LAB 3种不同均匀色品图中计算值的不一致性基础上,提出了一种基于色调维度来规范计算相关色温的方法。该方法借助孟塞尔表色系统,建立色温与色调的对应关系,忽略饱和度对色温的影响,重构了3个色品图的等色温线。通过与传统相关色温计算方法比较,该方法具有物理意义更明确、在不同色品图中的计算结果一致性更好的优点。     

无机砷在糙米中的分布规律研究

研究无机砷在不同品种糙米中的含量及其分布规律。选取宜昌地区8个不同品种的糙米,分别测定大米和米糠中无机砷的含量及砷类物质的组成。大米中无机砷含量范围为0. 080～0. 142 mg/kg,平均值为0.092 mg/kg,米糠中无机砷含量范围为0.371～0.875 mg/kg,平均值为0.609 mg/kg,米糠中无机砷含量约为大米中无机砷含量的5. 3～8. 2倍。每千克糙米中无机砷的质量范围为0. 147～0. 313 mg,平均值为0. 198mg,其中米糠中无机砷比重占55. 27%～66. 26%,约为大米中无机砷比重的2倍。糙米中砷的形态主要为无机砷,主要分布于米糠中。     

黄铜表面植酸钝化膜耐蚀性及其成膜机理

目的通过化学浸泡法在黄铜表面获得植酸钝化膜,并研究其成膜机理。方法采用硝酸点滴、中性盐雾试验和极化曲线测试,研究植酸钝化膜的耐蚀性。通过SEM、XRD对植酸钝化膜的形貌和组成进行分析,并测试黄铜试样钝化过程的电位-时间曲线,推测植酸钝化膜的成膜机理。结果与铬酸盐转化膜对比,黄铜表面植酸钝化膜的自腐蚀电流密度小于铬酸盐转化膜,腐蚀速率比重铬酸盐钝化膜小。经测试,植酸钝化膜的外观平整,结构致密,主要成分为植酸盐、Al_2O_3和ZnO。钝化过程的电位-时间曲线显示,黄铜试样的电位在前60 s从-0.172 V迅速升高到-0.157 V,随后电位升高的速度逐渐变缓,在150 s后电位变化微小。结论在黄铜表面形成的植酸钝化膜具有良好的耐腐蚀性能。植酸钝化膜的成膜过程分为黄铜表面的溶解和植酸钝化膜的形成两个过程。