国外硅材料的最新发展

本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料质量在纯度方面已能满足器件要求,只是单晶微缺陷和其它性能仍在进行研究。NTD硅单晶已经成为质量很好的商品。文内还对CZ法的ACRT和MCZ工艺以及太阳电池级硅材料作了介绍。     

大容量石英坩埚使用的研究

本文简述了DL-78型大直径、大容量直拉硅单晶工艺中石英坩埚的使用情况,对石英坩埚形状、尺寸的确定,原材料类别的选择、其杂质含量对硅单晶的影响,使用后被浸蚀情况进行了探讨,提出了对石英坩埚应力的检测方法及消除应力的热处理方法,测定了其中拉晶过程中的熔解速率。提出了一只坩埚多次投料使用的可能性。     

半导体硅材料展望与设想

本文论述了半导体硅材料的发展特点与趋向。超纯硅的重点在于工艺改革,国外许多公司致力改进西门子工艺设备,研究开发低成本多晶硅新工艺、方法,筹建、扩建大型硅厂等,以降低成本、扩大产量为主;硅单晶侧重工艺设备改革,各国竞相研制现代自动化大直径单晶炉,以增大直径,提高质量为主,研究集中在控制氧含量、降低碳含量、消除微缺陷和提高电阻率微观均匀性等方面;硅片精细加工是发展LSI关键步骤,已成为八十年代发展的新动向,提高表面平整度和制备无损伤表面尤为重要。文中侧重指出提高硅材料质量、削减成本和扩大产量的途径与技术措施。为迎接我国LSI大发展的到来,我们在调研基础上,提出加速发展我国硅工业的十项改革建议,试图形成一个各环节协调发展的、具有我国特色的“硅洲”的设想蓝图。     

DL—78型大型硅单晶炉

为满足大规模集成电路对硅材料提出的晶体直径和长度大型化的要求,已研制成功DL—78型大型硅单晶炉。该炉为15—30公斤级,可拉制直径75—100毫米、长1400毫米的晶体。本文介绍炉子全貌、参数和指标、炉型、主电源和控制系统等方面;重点在论述大容量、长行程、大功率和长时间(拉晶)四个问题对设计、制造的影响和解决的办法。     

直拉大直径硅单晶的工艺研究

一、前言 电子工业的发展正给整个工业体系带来革命性的变化。作为电子工业发展的主要代表是LSI和VLSI。它在小型化、轻量化、低耗能和高速化等方面的优越地位,都是任何其它器件所不可比拟的。为了适应LSI的发展,材料工作者曾作出了不少努力,其中一个方面就是发展大容量大直径硅单晶。这不仅可以提高单晶生产率,而且对提高器件生     

第二届全国半导体集成电路和硅材料学术年会

该会于一九八一年十二月在广州市举行。这是十多年来规模最大的一次半导体学术盛会。来自全国25个省、市、自治区130个单位370名代表参加了本届年会。会上,我国几位主要半导体材料专家王守武、林兰英、王守觉、黄敞作了有关硅材料和集成电路研制与发展等方面的特约报告。会议内容广泛丰富,主要包括:硅材料质量研究,硅材料物理及测试,硅外延生     

基座法拉晶工艺的新动向

1958年W.C.Dash开创了基座法拉晶工艺,并用此法生长了无位错的硅晶体,因而,此法在晶体生长技术领域中引起了有关学者的极大兴趣。美国德克萨斯公司曾采用此法拉制了以Lopex为牌号的无位错、低阻、高寿命的硅单晶,而盛名于硅晶体工业界。至今,已有许多科技工作者利用此法开展对晶体生长机理及其质量的研究,成功地     

半导体硅材料展望与设想(续)

四硅材料质量因素分析及提高质量途径纯度是衡量超纯硅质量的主要标志,硅单晶质量在很大程度上取决于超纯硅纯度。因此自六十年代起世界各国特别注重提高超纯硅纯度,到七十年代,国外超纯硅产品质量普遍达到:ρ_N≥1000～3000Ω·cm,ρ_P≥5000～25000Ω·cm,C、O含量均≤(0.1～0.5)ppm,寿命>1000μs。提高和稳定超纯硅质量的途径,主要是通过改进工艺、设备及其材质,提高精馏提纯效率,减少制备过程沾污,以及新工艺方法研究与应用。工艺设备材质的选用,始终是超纯硅生产中的关键问题,它经历了从石英玻璃、不     

直拉大直径硅单晶热场的设计与测量

本文较详细地介绍了在利用国产大型硅单晶炉拉制直径80毫米重10公斤硅单晶时的热场设计,给出了大容量的石英坩埚外型尺寸、新型结构的石墨坩埚托几何图形和保温系统材料种类与结构参数,特别提出了一种用钨铼热电偶直接测量动态热场的方法,得到了熔体中径向和纵向温度分布曲线。     

Si—Li探测器用优质硅单晶研制

本文概述 Si—LiX 射线探测器用优质悬浮区熔硅单晶的研制,着重叙述如何降低区熔硅单晶中的氧含量的试验。探索出降低区熔硅单品氧含量的规律,得出制备 Si—Li 探测器优质硅单品的最佳工艺。初步研制出 Si—Li 探测器用优质硅单晶,其参数为:p 型,电阻率1000—3000欧姆一厘米,少子寿命≥500微秒,无位错,氧含量5.2×10~(15)—1×10~(16)原子/cm~8。