通用雷达数字显示器设计

本文详细地叙述了一种性能完善、通用性和灵活性极好的数字化雷达显示器的设计方案。其中介绍了基本设计原则、利用通用微处理器总线结构设计成的显示控制逻辑、利用软件定时实行显示驱动部件的控制、适用于显示器控制应用的多处理机体系结构、视频信号的再定时技术和完全恒速化的矢量发生器以及全机的软件配置方案，最后还论述了该显示器几种可能的系统扩充方案和应用的前景。     

用溅射沉积生长高质量的GaAs外延膜

近来,溅射法已用于各种单晶元素、化合物、合金和超晶格半导体的生长。对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体来说,单晶的生长大多与诸如InSb、GaSb、In_(1-x)Ga_xSb、InSb_(1-x)Bi_x和InSb/GaSb超晶格的Sb基化合物和合金有关。从非掺杂的GaAs源中,通过溅射沉积法在(100)掺Cr的GaAs衬底上生长GaAs外延膜。非故意掺杂的样品为n型高阻(10~5～10~9Ω·cm),室温迁移率高达5000cm~2/v·     

中国太阳能学会1981年年会在杭举行

中国太阳能学会1981年年会于10月6日至10日在杭州举行。全国各省市太阳能学会的会员、有论文的作者及业余太阳能爱好者272名代表参加了会议。国家科委、能委、经委,浙江省科委、科协的负责同志出席了大会。代表们听取了学会副理事长作的     

低成本太阳电池用浇铸多晶硅锭的研究

叙述了制备低成本太阳电池用浇铸多晶硅锭的设备和工艺,并对浇铸多晶硅的质量及其对太阳电池性能的影响作了分析,着重讨论了制备结构完整、无裂纹并呈柱状生长的多晶硅锭的关键因素。用常规工艺制备的50×50mm浇铸多晶硅太阳电池,其光电转换效率一般为8～11％,最高达11.9％(AM1.5、有效面积)。用本工艺生产的多晶硅材料成本要较单晶硅材料降低30％至50％。     

电子工业用超纯超细硅粉的研制

本文根据硅材料的特性以及电子工业对硅粉纯度和粒度的特殊要求，从硅粉的制取方法、原材料和磨具材质的选择以及酸浸出等方面作了讨论，并将制备的硅粉与日本的产品作了比较。     

浇铸法制备太阳电池用多晶硅锭的研究

用浇铸法制成了柱状结构多晶硅锭。本文讨论了热场分布和模具温度对浇铸多晶硅锭生长的影响,报道了用该材料制作的太阳电池的电学特性,其最高效率达12％(AM1.5),并分析了浇铸多晶硅的生长结构和太阳电池性能的关系。