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深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作 总被引:5,自引:1,他引:4
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。 相似文献
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阐述了SiGe器件的主要研究方向以及国内外对SiGe材料和器件的研究情况,并对SiGe器件与Si器件和GaAs器件的发展前景进行了比较。 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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往往有这样一个情况,在甲厂存在一项技术或质量问题不能解决,而在乙厂已有这方面的好经验。本栏的目的,希望通过各厂技术交流,得到共同提高,以促进我国电机工业的全面发展。故欢迎各厂凡在设计、工艺、测试、生产技术、企业管理、质量等各方面希望交流的问题,请撰稿投寄本刊。 相似文献
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SMPGA是FPGA的一种硬线化设计,是FPGA的最佳低成本替代品。本文在简介SMPGA基本原理的基础上介绍了一种实现FPGA向SMPGA转换的开发系统,利用本系统可以迅速方便地完成由FPGA向SMPGA的转换。 相似文献
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1 概述目前上海人力三轮车保有量约为12万辆(其中市区约8万辆,郊区4万辆),分布于工厂、机关、学校、商店及个体,担负着繁重的小件短途运输任务,对缓解市区小件短程货运起了重要的补充作用,靠人力踏车,劳动强度大,速度慢效率低。87年我公司采用电力驱动,改装了87型电动助力三轮车,并通过机电局的技术鉴定,投入市场至今已改装了约1500辆,深受广大用户的欢迎,同时也取得 相似文献