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本文给出的W-S综合法,利用样本函数的性质,对Woodward法进行了改进,用较少的单元就可以综合出相同效果的方向图,若单元数目相同,W-S法综合的方向图更逼近样本函数,且天线的波瓣狭窄,增益较高。 相似文献
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本文给出的W—S综合法,利用样本函数的性质,对Woodward法进行了改进,用较少的单元就可以综合出相同效果的方向图。若单元数目相同,W-S法综合的方向图更逼近样本函数,且天线的波瓣较窄,增益较高。 相似文献
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Hazy backside gettering of boron-doped <111> siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glowdischarge technique (rf-GD) has been investigated by SEM, optical microscope and preferential etching tech-lique. lt is evident that the deposited film can effectively getter the haze after annealing at l l00℃in wet oxy-len ambient for 120 min. The pre-crystallization annealing at 650℃ in argon ambient for 10 min enhances thegettering effectiveness. The low temperature(200~300℃) process of growing extrinsic gettering film reducesthe processing contamination. 相似文献
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The axial and radial convective flow,temperature fluctuation and distribution in the HMCZ silicon meltare studied tentatively.The experimental results show that the axial and radial convective speeds,the tempera-ture variation and the radial temperature gradient,parallel to magnetic field and near melt surface,alldecrease,but the axisymmetry of temperature distribution no longer exists when the magnetic field is applied. 相似文献
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基于麦克斯韦微分方程,对多路径效应中的多种相位关系进行了严谨的分析和规范化处理。计算了相位波瓣对威力覆盖的影响,提出了相位波瓣综合的研题,结果可用于超分辨算法以及雷达威力覆盖设计。 相似文献
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在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形成。因此,在单晶生长过程中如何控制或抑制熔体的热对流越来越受到重视。 相似文献
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降低天线付瓣电平是天线设计的一个重要问题,对于大型相控阵天线,通常采用等间距密度抽样阵以降低天线付瓣,国外资料上介绍的设计方法叫做统计法,这个方法是借助计算机建立在大量计算的基础上,从中选择一个较好的排列。本文介绍的相关法和综合法,可以不用计算机就能迅速获得一个好的排列,这是总结了我们工作中的经验提出来的新方法,尚需在应用中不断完善,特别是相关法提出的单元密度相关设计这一问题,虽改进了统计法的设计,但其理论分析有待深入研究。 相似文献
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