用半导体探测器测量1.5-60keV的X射线

本文阐述X射线能谱测量用的半导体探测器,对硅与锗X射线探测器进行了比较。扼要介绍了X荧光分析用的探测器的制备方法和性能,分析了影响探测器效率的因素。实际量测了1.5-60keV的X和低能γ射线。对于能量>5keV的X射线,探测效率用~(241)Am源刻度,<5keV时,用玻璃荧光源测量窗吸收及其他效率损失的标准技术。测量结果与文献发表过的数据进行了比较。     

硅单晶质量对半导体核辐射探测器性能的影响

本文根据实验结果讨论了原始硅单晶的不同生长气氛、电阻率均匀度、杂质补偿度,载流子寿命、位错、含氧量等对半导体核辐射探测器性能的影响,对于用不同参数的高阻P型和N型硅单晶制成的探测器进行了比较和分析。文中也谈到了对探测器级硅单晶的基本要求和今后展望。     

宽灵敏区的钯硅面垒核辐射探测器

本文介紹了用高阻N型硅制作的灵敏区寬达0.5—3mm的鈿硅面垒探测器。它具有窗薄、灵敏区寬、反向耐压高、漏电流小、能量分辨率高、稳定性好等特点。灵敏面积20mm~2、厚1.5mm的探測器对~(241)Am α源的室溫真空分辨率为0.45％,对~(207)Bi 976keV內轉換电子室溫分辨率为1.7％。面积300mm~2、厚2mm的探測器-40℃时对~(207)Bi 976keV內轉換电子的分辨率为0.98％。     

高纯锗核辐射探测器

本文综述X和γ射线能谱分析用的高纯锗探测器,阐述探测器对原始材料的要求,介绍制备、结构和性能参数,并与硅X射线探测器、锗锂γ射线探测器和碘化钠γ射线闪烁探测器进行了对比。     

高纯锗单晶质量对核辐射探测器的影响

本文阐述高纯锗材料的各项参数对探测器性能的影响,这些参数是导电类型、晶向、浅能级和深能级杂质、迁移率、位错密度及其分布和平底坑等。文中给出了几种材料制成探测器后测出的结果。提出了试制优质探测器对锗材料的具体要求。