锗晶体断裂模数的测试

用四点弯曲法测量了锗单晶和多晶样品（３６ｍｍ×４ｍｍ×３ｍｍ）的断裂模数，其结果与美、英、比等国家公布的数据基本相符．实验证明样品表面加工方法是影响测量值的重要因素；机械应力和热应力将导致断裂模数的下降。     

用锂沉淀法测定探测器级单晶锗中氧含量

Ge(Li)-γ射线探测器具有很高的能量分辨率,它对锗材料的质量要求较严,其中氧含量就是一个重要参数。一方面氧与锂形成相对不可动的LiO~ 络合物,大大降低锂的漂移率;另一方面,如果含氧Ge中同时存在足够量的Si,则Si与氧形成SiO_2颗粒。此颗粒用化学腐蚀可显示出平底坑,属空穴