SnO2／ITO复合透明导电膜研究

在普通的真空镀膜机上,首次采用电阻加热蒸发和电子束蒸发相结合的新工艺,研制出平面的和绒面的 SnO_2/ITO复合透明导电膜.在可见光区内膜的透射率分别大于 90％和 85％,方块电阻小于 10Ω/□.用这种膜制备非晶硅太阳电池,效果令人满意,光电转换效率与日本旭消子的同类膜相同.     

双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件

简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点，重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分别对不同形状的半导体材料如何测量进行了讨论，并给出了双电测组合法测量电阻率的准确计算公式。     

半导体探测器的一些基本物理性能

一、引言近几年来,具有p-n结的半导体晶体,在带电粒子的探测方面,巳经得到越来越广泛的应用。与气体电离室和闪烁探测器比较,半导体探测器有如下优点:(1)如硅,产生一对电子与空穴只需要能量3.5电子伏,而在充氩气的电离室中,则需28电子伏。这意味着,半导体探     

双位组合四探针法测量硅片电阻率

本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双位组合法测量较厚（Ｗ／Ｓ＞０．６）样品时，非但不能直接套用常规的厚度计算方法，而且还必须采取新的厚度修正。本文给出两种双位组合法的计算公式，分析新的厚度修正原理，给出测试结果，得出相应结论。     

双电测组合法测试半导体电阻率的研究

对双电测组合四探针法测试方块电阻(Rs)和体电阻率(ρ)进行了研究,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点:测量结果与探针间距无关,可使用不等距探针头;具有自动修正边界影响的功能,不必寻找修正因子;不移动探针头即可得知均匀性.推导出用于体电阻率时的厚度函数.论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理,给出了Rs和ρ的计算公式.     

探测器级高纯硅单晶电阻率的四探针测试条件

本文讨论用四探针方法测试高纯硅单晶电阻率的测准条件。一般认为,用四探针方法测量硅单晶电阻率的上限是3千欧姆厘米。实际上四探针技术的原理和国内外实践表明,用该方法测试更高的电阻率是完全可能的。关键是要严格遵循必要的测试条件。本文通过实验,分析了数千乃至上万欧姆厘米的高纯硅单晶电阻率测准条件,其中主要有1.表面处理;2.测试电流;3.探针直径;4.输入电阻,5.环境条件等。     

非晶太阳电池发展现状

概况自1970年世界上第一个非晶硅(以下写为a-Si)太阳电池试制成功以来,1982年首次由RCA实验室宣布a-Si电池的光电转换效率达到10％。这是非晶硅电池研究成果第一个里程碑。到1986年至少有18个研究单位的单结a-Si电池效率超过10％。在1989年3月以前,日本同时有四个部门的单结a-Si电池效率达到12％,     

半导体太阳电池最佳工作参数计算新法

本文提出一个计算半导体太阳电池最佳工作参数的新方法,用它计算之结果与实测数据相比,误差在(1—3)％以内.