全文获取类型
收费全文 | 63篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 25篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 1篇 |
金属工艺 | 8篇 |
矿业工程 | 7篇 |
能源动力 | 1篇 |
无线电 | 26篇 |
一般工业技术 | 9篇 |
冶金工业 | 34篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 14篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 4篇 |
1996年 | 1篇 |
排序方式: 共有89条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明:切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5μm)也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55nm。 相似文献
5.
把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子. 相似文献
6.
7.
8.
大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道. 相似文献
9.
为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果. 相似文献
10.
酒钢中板的油膜轴承由太原重工油膜轴承分公司1996年制造,目前已使用17年,从未出现过油膜轴承问题引发的轧机停机事故,也从未采购过新的锥套及衬套。本文从油膜轴承的装备、轧机装配精度、维护三个方面论述提高油膜轴承使用寿命的经验及方法。 相似文献