形状记忆聚己内酯基聚氨酯输尿管支架管的制备及性能

本研究致力于制备一种具有形状记忆效应的聚己内酯基聚氨酯输尿管支架管。选用分子量为2000的聚己内酯二元醇(PCL-diol)为软段,异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)为硬段,1,4-丁二醇(BDO)为扩链剂,制备了不同软-硬段比例的聚氨酯;并进一步采用熔融挤出法制备双J型聚氨酯支架管。通过各种实验手段研究了聚己内酯基聚氨酯(PCLUs)的结构,测试分析了PCLUs支架管的相转变温度;通过拉伸及形状记忆测试研究了支架管的力学性能和形状记忆性;通过体外模拟降解实验进一步分析了支架管的降解性。随着硬段比例的增加,PCLUs力学强度大幅提高;熔融温度(T_m)由50.4℃降为37.1℃,更接近于人体温度;其形状固定率(R_f)和形状回复率(R_r)均达到了87%以上;相比于临床用不可降解输尿管支架管,本研究所制备的支架管(PCLU4)在前6周基本无降解,至30周时降解率可达90%。     

ZrO2复合对PLZT铁电陶瓷电致疲劳性能的改善

研究了复合ＺｒＯ２对ＰＬＺＴ铁电陶瓷性能的影响,随着ＺｒＯ２的添加,复合材料体系的铁电性能有一定的减弱,但是电致疲劳性能却得到明显的改善。断口的显微结构观察表明,随着ＺｒＯ３的添加,断口由部分沿晶断裂模式向穿晶断裂模式转化,证明了ＺｒＯ２的引入提高了晶界强度,从而改善了材料的电致疲劳特性。     

镍液中Al—C平衡研究

利用X-射线衍射分析及扫描电镜与能谱分析,观察了镍液中Al_4C_3的形成;通过镍液中Al-C平衡,测定了活度相互作用系数e_c~c=2.30。     

基于MEMS技术的集成铁电硅微麦克风

本文介绍了基于MEMS技术的集成铁电式硅微麦克风的潜在应用、制备工艺、封装技术、测试方法。实验研究表明，这种与IC工艺相兼容的MEMS微麦克风工艺相对简单，性能易于控制，灵敏度可以达到15mV／Pa以上，有很大的发展前途。     

退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响

铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质.采用溶胶凝胶法,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜.实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C-V和I-V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C-V性质,并降低漏导电流.     

铁电存储器及其疲劳机制的研究

简述了铁电材料的结构及其性能,比较了铁电存储器的各种制备工艺的优缺点及发展前景;同时介绍了目前较为先进的铁电储存器的优良的读,写等特性及国际市场发展动态对当今高度发展的信息社会的重要作用。同时探讨了铁电材料的疲劳机制研究现状及其深入研究的所应遵循的技术路线。