Spin Dependent Hopping in Ti Doped La0.67 Ca0.33 MnO3

A systematic investigation of the magnetic and transport properties of Ti doped La0.67Ca0.33MnO3 was reported. The Ti substitution for Mn ions results in a reduction in ferromagnetism and conductivity. The metal-insulator transition temperature is close to Curie temperature which decreases from 274 to 82 K as x increases from 0 to 0.17. The most important effect of Ti doping is to introduce spin clusters in the samples due to the distortion of local lattice and the inhomogeneous magnetic structure induced primarily by the random distribution of Mn ions. A maximum magnetoresistance ratio as large as 90% in 1 T at 122 K was obtained for the sample with x =0. 055, which is four times larger than that obtained for LCMO sample at 272 K. There is a remarkable field-history dependent MR in the cooling process for the doped samples while such phenomenon disappears in the warming run. The resistivity follows well the variable range hopping behavior in paramagnetic state. Both the size effect and spin dependent hopping of carriers between the spin clusters should be considered in this system.     

Fe／In2O3磁性颗粒膜的光学特性

研究了射频溅射法制备的磁性颗粒膜的光学特性。发现在Ｉｎ２Ｏ３母体材料中嵌入Ｆｅ颗粒的磁性颗粒膜中，电子的带间跃迁由Ｉｎ２Ｏ３的直接跃迁变为间接跃迁，基本吸收边变平；随磁性粒子所占体积分数的增加，局域态尾变宽，带隙交窄。这是由于嵌入Ｆｅ颗粒后，母体材料与磁性颗粒的界面积增加，具有了较多的表面态，以及母材料的非晶化引起的。     

La-Gd-Ca-Mn-O的磁性、电性和磁电阻效应

在La0 67Ca0 33 MnO3 中进行了掺Gd研究 ,结果发现 ,经 140 0℃烧结的样品 ,获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加 ,材料的相变温度逐渐下降 ,对应的峰值电阻率大幅度增加 ,居里温度逐渐下降 ,磁电阻比明显提高。掺入 11%的Gd后 ,可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。     

Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La的影响

用Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La使材料的居里温度单调下降，掺Dy使材料的相变温度单调下降，峰值电阻率迅速增大，磁电阻比急剧增大，掺入13％（原子分数）的Dy可使材料的最大磁电阻比增大近40倍，而掺Yb对磁电阻的影响要小得多，用自旋团簇理论可以解释庞磁电阻的形成。     

Substituting Effect of Y in La0.5Ba0.5 CoO3

La0.5-xYxBa0.5CoO3 polycrystals were prepared by solid state reaction. The substituting effects of Y for La on the magnetic and transport properties of the materials were studied systematically. The results indicate that substitution of Y induces two effects. Firstly, the charge transfer from Y to 3d orbital of Co happens. This causes the molecular magnetic moment to decrease. Secondly, the antiferromagnetic exchange interaction of Co ions appears. When the content of Y is less than or equal to 30%, the non-colinear structure of spins in materials is observed. When the content of Y is greater than 30%, the materials transit from predominant ferromagnetic state to predominant antiferromagnetic one. The conductive mechanism for the materials with different content of Y belongs to the variable range hopping conduction of polarons.The resistivity of materials increases sharply with increasing Y content.     

La0.5Ba0.5CoO3中的Pr掺杂效应

用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物，系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性，结果表明：Pr掺杂没有改变Co的3d电子的巡游特性。随Pr掺杂量增加，材料的分子磁矩单调下降，其原因是当Pr逐渐取代La时，Co离子的3d电子逐渐由中间自旋态向低自放态转变。随Pr含量增加，材料的居里温度逐渐下降，这是由于稀土离子的尺寸效应，电阻测量表明：在所研究的温度范围内，居里温度以下，所有掺Pr材料的导电机制为热扩散型。居里点以上，导电机制为变程跳跃导电。     

La0.67 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中Dy的置换作用

在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究。结果发现，随掺Dy量的增加，两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降，峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中，掺入13％的Dy后，在5T的磁场下，最大磁电阻比达到7900％。在Ba系样品中．掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释，但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。     

La0.67Ba0.33MnO3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响

在溶胶-凝胶法制备的La0.47Ba0.38MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)／／(CuO),(x=0．01～0．1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现．随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0．01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高．当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8．4％。比未掺杂的LBMO提高了50％。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。     

La0.5-xCexBa0.5CoO3化合物的磁性和输运特性

在La0.5Ba0.5CoO3中,系统研究了Ce对La的替代效应.Ce的掺入首先产生了电荷转移效应.材料高温磁化率测量表明,每个Ce原子向Co的3d壳层转移2.86个电子,结果随Ce掺入量增加,材料磁矩成线性下降.另外,随Ce含量增加,材料居里温度单调下降,这是由于稀土离子的尺寸效应.在所研究的温度范围内,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电.由于电荷转移效应,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大.当La全部被Ce替代后,室温下材料的电阻率提高了五个数量级以上.     

Fe/In2O3/Fe多层膜的磁性及巨磁电阻效应

采用射频溅射方法成功制备了由过渡族元素Fe和半导体材料In2O3交替生长构成的Fe/In2O3/Fe多层膜、室温下，磁性测量结果表明样品具有超顺磁性，符合朗之万方程；磁电阻比的最大值为2.93%，遵从颗粒膜磁电阻的平方律。上述实验结果表明该多层膜样品具有类似于颗粒膜的结构。