Synthesis and luminescent properties of ternary complex Eu(UVA)3Phen in nano-TiO2

By introducing 2-hydroxy-4-methoxy-benzophenone(UVA) and 1,10-phenanthroline(Phen) as the ligands, the ternary rare earth complex of Eu(UVA)3Phen is synthesized, and it is characterized by elemental analysis, mass spectra(MS) and infrared(IR) and ultraviolet(UV) spectroscopy. Results show that the Eu(III) in complex emits strong red luminescence when it is excited by UV light, and it has higher sensitized luminescent efficiency and longer lifetime. The organic-inorganic thin film of complex Eu(UVA)3Phen doped with nano-Ti O2 is prepared, and the nano-Ti O2 is used in the luminescence layer to change the luminescence property of Eu(UVA)3Phen. It is found that there is an efficient energy transfer process between ligands and metal ions. Moreover, in an indium tin oxide(ITO)/poly(N-vinylcar-bazole)(PVK)/Eu(UVA)3Phen/Al device, Eu3+ can be excited by intramolecular ligand-to-metal energy transfer process. The main peak of emission at 613 nm is attributed to 5D0→7F2 transition of the Eu3+, and this process results in the enhanced red emission.     

煤矿事故致因研究国外文献评述

重点对有关煤矿事故致因研究的国外文献进行了回顾,包括人为因素、技术因素和社会因素等相关研究成果,以期对我国煤矿安全问题的进一步研究和实践工作提供有益的线索.     

ITO薄膜制备及RTA处理对发光器件特性的影响

采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响.以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例,讨论了不同的制备条件下ITO薄膜的表面效应对电致发光(EL)的影响,通过EL光谱表征发现,对ITO退火处理后,器件的相对发光强度明显增加,衰减速度减慢,器件的EL光谱有明显的变化.通过进一步分析认为,这是由于ITO薄膜表面的变化引起功函数的改变,从而引起电场重新分布造成的.     

Comparison of Electron Acceleration Ability of SiO_2 and ZnS fromZnS∶Er Transient Electroluminescence

Thefirstcommerciallysuccessfulelectrolumi nescencedisplayofthethinfilmMISIMtype(metal in sulator semiconductor insulator metal)withS=ZnS∶Mn reiescompletelyonaspecialhighfieldelectronictrans portmodecalled“travellingspiketransport”.Optimum excitationefficiencyandavalanchinghavebeenachie vedwiththisballistic(loss freewithrespecttopho nons)accelerationprocess.Itsthresholdfieldstrength isabout106V·cm-1inZnS,andislowenoughforthe resultingelectricbreakdowntobemadereversiblevia chargecontrol,…     

全颜色EL显示的进展

一引言发黄光的TFEL显示器的研制成功引起了人们对多色EL显示前景的极大兴趣。本文总结了在实现这个目标过程中所取得的进展。最初发现的EL磷光体是ZnS:Mn。在TFEL器件中,这种磷光体的效率已成为测量其他各种颜色磷光体效率的标准。在通常的具有60Hz快速率的矩阵寻址TFEL显示应用     

SrS:CeCl_3薄膜的高亮度蓝色EL

用于薄膜电致发光(EL)器件的 SrS:CeCl_3发光层的结晶性能直接受与其邻近的底层膜的影响。在一种以强立方(111)取向 ZnS 薄膜作为底层的 EL 薄膜器件中实现了明亮的蓝色发射,在5KHz 正弦电压激发下,器件的最大亮度力100nt。根据 x 射线衍射图和发光层的光致发光光谱讨论了 EL特性。     

薄膜电致发光器件的激发机理

在一个比较短的延迟时间内测量并比较了 ZnS:TbF_3薄膜的电致发光和光致的时间分辨光谱。可以断定:Tb 中心的激发机理包含有来自于 ZnS 基质的能量传递过程——与 Tb 相联系的中心对于激发 Tb~(3 )离子的4f~8电子组态是一个有效的能源、除了 ZnS:TbF_3薄膜以外,一个相似的激发机理也存在于 ZnS:Mn 薄膜中。并指出:在 ZnS 薄膜中,TbF_3缔合中心和 Mn 的行为同等电子中心或深电子陷阱一样。     

在GaAs衬底上用MBE和MEE方法生长的ZnSe膜的对比研究

1.引言ZnSe是一种直接觉带隙半导体,它在制备蓝色发光器件方面有潜在的应用。人们已经利用MBE和MOCVD方法生长出结构完整的ZnSe薄膜。最近的研究工作表明,可以在这种材料中实现P型转换。这种P型材料已经被用来制备p-n结,在低温下已经观察到来自该结的蓝色带边发射。本文研究了用常规分子束外延(MBE)和扩散加强外延(MEE)方法在GaAs衬底上生长的ZnSe薄膜.我们的目的是去了解这两种方法制备的薄膜的区别以及检测生长     

高分辨率发光屏

引言设计高分辨率,高亮度阴极射线管(CRT)的一般方法是考虑各种参数的影响,如具体的操作条件,管尺寸,电子枪几何形状以及在所需操作条件下发光屏的特性。操作条件和管尺寸通常受所需体系的限制。在这些条件限制下,为了获得最佳性能,电子枪尺寸和发光粉的参数必须优化。电子枪设计者利用一些基本技术和方程式进行这项工作,其中包括最大电流密度限制,峰值阴极负载,束截止电压及一个点像方程。     

坚硬岩石弱蠕变特性实验曲线的初级函数拟合

蠕变实验曲线是研究岩石蠕变特性的基础,基于坚硬岩石实验曲线的瞬时变形阶段极近直线、坚硬岩石蠕变实验曲线的稳态蠕变阶段斜率恒定以及坚硬岩石具有较高的蠕变下限等因素,将描述蠕变特性的实验曲线大幅缩减为必要的若干关键阶段。坚硬岩石普遍呈弱蠕变特性,非线性蠕变程度随加载应力水平的提高而明显提高,径向蠕变特性较轴向蠕变特性更趋显著。坚硬细砂岩初期衰减蠕变阶段实验曲线的一阶(负)指数拟合相关系数ρ平均为0.99162,其加速蠕变阶段实验曲线的一阶指数拟合相关系数为0.90000。较高的相关度证明坚硬岩石蠕变特性实验曲线的几何形态比较简单,采用初级函数对其进行拟合,方法简单、拟合效果好、数据处理效率高,是对岩石蠕变特性实验曲线特征进行简单描述的有效途径。