熔甩Cu—Co合金薄带的结构,磁性及巨磁阻

研究了熔甩法制备的ＣｏｘＣｕ１－ｘ（０〈ｘ〈０．２０）颗粒合金的结构、磁性以及输运性质，通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差动热分析（ＤＣＳ）以及磁性测量，发现造成Ｃｏ－Ｃｕ合金磁性及输运性质变化的Ｃｏ相分离过程，当０〈ｘ〈０．１５时，在４５０℃退火火３０ｍｉｎ的ＣｏＣｕ合金中Ｃｏ颗粒的直径为３．５－４．５ｎｍ。并呈现最大的巨磁阻效应，磁性随析出Ｃｏ颗粒浓度及尺寸的变化与双通道模型的预示一致，粒子界面引起     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响及CoCr软盘的研究

本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。     

CoO包覆的Co纳米颗粒的磁滞回线的横向及纵向偏移

利用等离子体-气体冷凝方法制备了具有核-壳结构的Co纳米颗粒，并对其结构和磁性进行了研究。结果表明纳米颗粒的尺寸均匀，平均直径约为20nm，表面包覆着CoO壳层。在CoO壳层和Co核间存在着交换偏置效应。经过磁场冷却，在低温测量的纳米颗粒的磁滞回线不只在横轴方向，在纵轴方向也存在着明显的偏移，并且在横向偏移量和纵向偏移量间存在着线性关系。交换偏置效应和磁滞回线的纵向偏移应该起源于CoO壳层中未被补偿的冻结自旋。根据交换偏置效应的未补偿自旋模型，对Co纳米颗粒的磁场冷却磁滞回线的横向偏移量和纵向偏移量间的线性关系进行了解释。     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响

<正> 本文系统地研究了对向靶溅射参数对垂直磁记录介质 CoCr 膜结构和磁性的影响。一、引言近年来,随着垂直磁记录介质研究的发展,关于二极溅射、磁控溅射和射频溅射的溅射条件对 CoCr 膜性质的影响已有许多研究,但新型对向靶溅射仪溅射条件对 CoCr 膜性质的影响还不甚清楚。对向靶溅射中影响 CoCr 膜性质的因素很多。通过实验研究,我们发现氩气压力 P_(Ar),溅射电流 I_s,基板温度 T_s和基板负偏