150 GHz低损耗Lange耦合器的设计

采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个中心频率为150 GHz的低损耗Lange耦合器。使用λ/4波长线为耦合线,4个端口采用50 Ω匹配线以降低回波损耗;为得到更好的插入损耗,在耦合器对应的地面打孔形成地面隔离带,有效降低了插入损耗。仿真结果表明,耦合器在中心频率150 GHz处,带宽20 GHz范围内的耦合度为3.5 dB,插入损耗小于0.6 dB,回波损耗与隔离度均小于-20 dB,相位误差在2°之内,耦合输出与直通输出幅值误差在0.1 dB以下。该Lange耦合器在D波段功率放大器、混频器、移相器等电路中有很好的应用前景。     

地质矿产勘探中的问题与措施

目前地质矿产勘探工作受到勘探技术等多方面限制,出现了地质矿产勘探体系缺失、矿产资源有效利用率较低以及环境污染严重等问题,限制了勘探工作的有效发展,为解决这一问题因此提出了完善矿产勘探监管制度、不断更新勘探技术以及绿色勘探技术应用等相应措施,促进矿产资源合理开发利用。