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1.
该文简述了洁净室的基本概念,现代洁净室国内外发展动态以及从建筑角度谈洁净室的平、剖面设计、洁净室材料选用和主要构造。  相似文献   
2.
以邻苯二胺、甲酸为起始原料,通过缩合反应合成苯并咪唑,在碱性条件下苯并咪唑与苄基氯反应合成N-苄基苯并咪唑,然后将其与溴乙烷反应,得到溴化1-苄基-3-乙基苯并咪唑盐离子液体。所得产品结构经FTIR、1H NMR、13CNMR以及LC-MS表征,证明为目标产物。  相似文献   
3.
半导体器件生产需重视超纯水净化系统本身的污染1概述超纯水技术一直在不断改进。要获得超纯水的条件极其复杂,其原因是:某些去除污染技术实际上也同时增加了另一种污染,或者说被此间相互干扰。本文论述了超纯水的技术条件,其污染物对半导体生产的重大影响;考察了通...  相似文献   
4.
本文从三个方面论述硅中的氧和碳:(1)氧和碳的引入及其浓度;(2)对形成晶体缺陷所起的作用和对集成电路的影响;(3)关于工业方面解决氧和碳问题的趋势。  相似文献   
5.
四氯化硅氢氯化研究项目属美国JPL〈喷气推进试验室〉平板太阳能电池阵列工程中硅材料项目部分。主要是开发低成本太阳能电池阵列。本文归纳了美国能源部与JPL签订的关于四氯化硅氢氯化研究两项合同(955382,  相似文献   
6.
文章介绍了洁净技术与洁净室设计的主要内容,论述了洁净工艺设计与集成电路制造工艺微细化尺度趋势间的关系,着重介绍了工艺设计中的污染控制技术及当今世界实践趋势。  相似文献   
7.
张重敏 《有色冶炼》1995,24(3):52-54
本文综述了我国硅材料工业现状、市场机制与质量竞争、质量管理与半导体工业,介绍了质量管理学的几个基本概念,展望了我国硅材料市场前景。  相似文献   
8.
文章介绍了洁净技术与洁净室设计的主要内容,论述了洁净。艺设计与集成电路制造工艺微细化尺度趋势间的关系,着重介绍了工艺设计中的污染控制技术及当今世界实践趋势。  相似文献   
9.
在硅晶体生长过程中以及切片过程中都可能有一定数量的杂质进入硅中,典型的杂质有氧、碳和重金属。这些杂质和其它晶体缺陷已证明是器件失效和成品率低的主要原因。目前,阻止这些缺陷产生似乎是不可能的,但是必须对缺陷加以控制。基于这一理由,人们十分关注硅片吸杂—这是当前唯一流行的用来控制硅品格缺陷的方法。  相似文献   
10.
本文综述了我国硅材料工业现状、市场机制与质量竞争、质量管理与半导体工业,介绍了质量管理学的几个基本概念,展望了我国硅材料市场前景。  相似文献   
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