进口复印机mitadc-211/213RE用的硒鼓

上海冶炼厂研制的mitadc-211/213RE复印机用硒鼓于1986年3月25日通过鉴定。会议由上海有色金属工业公司主持,市经委技术开发处等20多名专家参加了会议。经用户的实际使用,专家对硒鼓物理表面,基本参数,疲劳性能,印迹性能等检查鉴定,认为该复印机用硒鼓已达到我国企业标准ZBY255-84和苏联22210-76的技     

锗的应用趋向及预测

前言自一九四八年世界上第一只锗晶体管问世,锗一直是重要的半导体材料。六十年代随着硅工业的兴起,锗在半导体的主导地位被硅取代。世界锗的需求量曾一度下降。近年来,由于锗在红外光学、光导纤维、催化剂、医药、原子能等应用领域的开发,锗的需求量再次上升,82年世界锗消耗量已突破100吨。因此,锗不仅仍然是硅所不能完全取代的重要半导体材料并且已成为新技术革命及国防军事上的重要基础材料。     

生长大直径区熔硅单晶的工艺

本文所提供的资料是关于如何解决在一个大气压的氩气氛下浮区生长80毫米直径单晶的问题。成功地生长直径80毫米硅单晶很大程度取决于经矿处理(整形)的多晶棒料的直径、籽晶晶向、熔区长度、转速、移动速度,拉完单晶长度以及晶体支承机构等因素。调节好这些参数可获得最佳的生长条件。早期在控制74毫米或更大直径晶体时曾碰到下面的问题:需提供更大的功率以便熔化直径较大的硅棒,为了提高有效功率必须进一步改变线圈的几何形状;以及用生长小直径用的拉速在熔硅时可能会发生凝固或溢出。