重掺锑硅单晶的生长

在直拉(CZ)法生长的重掺锑硅单晶中,由于锑在硅中的特性,造成无位错(文中指No<1000个/厘米~2)晶体生长的困难,同时断面电阻率均匀性也难以控制,严重影响了单晶的成品率。 本实验用改变动态工艺参数方法调整晶体固液界面,以控制一个微凸等温面,取得了无位错且电阻率分布较为均匀的晶体生长条件。使重掺锑硅单晶成品率达到40％。工艺基本稳定。     

高反压硅晶体管的优质材料——NTD硅单晶

借助于热中子辐照,使Si~(30)激活产生P_(31),从而取得掺杂元素分布极为均匀,并能实现准确掺杂的硅单晶。这类单晶有效地用于功率器件领域。本文介绍这类材料的制备,辐照损伤消除,晶体性能及用于制备高反压晶体管的情况。所制备的单晶断面电阻率不均匀度≤5％,寿命达200～500μs,用该类材料制备的DF-104高反压硅晶体管最高耐压达2300V,比用常规掺杂法单晶制备的管子耐压高200～400V。