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探讨了用户对换挡性能的需求,分析了换挡卡顿现象产生来源,提出了提升换挡手感及改善换挡卡顿现象的手段,主要包括增加换挡惯性块及优化换挡系统杠杆比。 相似文献
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TbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性 总被引:4,自引:0,他引:4
在 SPF-430H 溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶垂直磁化膜, 并就 Cr 底层对 TbCo 非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明,Cr 底层的存在能够增强 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加。分别采用 VTBH-1 型高感度振动样品磁强计和 MTL-1 磁转矩系统测量了 TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现,厚度为 120 nm,并带有 180 nm 厚度 Cr 底层的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达 51.2×104 A/m 和 0.457 J/cm3;没有带 Cr 底层的同样厚度的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有 35.2×104 A/m 和 0.324 J/cm3。Hitachi X-650 型扫描电镜的观测结果表明,带有 Cr 底层的TbCo 薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。 相似文献
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由于GMI效应对磁场的对称性特点,在传感器设计中,通常采用引入偏置磁场的方法来提高GMI传感器的灵敏度。而采用硬磁薄膜材料作为GMI传感器的偏置磁场源,可在提供80~160A/m的偏置磁场的前提下,实现GMI传感器的低功耗和微型化。运用COMSOL软件对薄膜材料的空间磁场分布进行了模拟,研究了薄膜材料特性及其尺寸对空间磁场分布的影响,并对影响有限元分析结果可靠性的因素进行了探讨。研究结果表明,硬磁薄膜材料的剩余磁化强度为0.3~0.7 MA/m、长度为5~7mm、厚度为7~13μm时可以为GMI传感器敏感元件提供符合要求的偏置磁场源。 相似文献
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通过将布鲁纳认知理论的三个基本观点应用到"光电检测技术"课程教学的各个环节中,以学生为学习的主体,教学过程遵循学生对知识的认知过程,加强了学生对基础知识的掌握,激发了学生的学习兴趣,提高了该课程的教学质量。 相似文献
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系统采用ARM COTEX-M3系列芯片STM32F103RBT6为主控制器,对大气智能温度传感器LVQWZ-31进行控制,实现温度采集功能,并在TFT液晶屏上显示实时温度,同时调用嵌入式应用的图形支持软件uc/GUI实现对触摸键的设置,由TFT触摸屏上设置的按键进行温度采集的控制,以及数据的存储。方便了控制温度信号的采集,简化了系统的软硬件设计,实现了温度实时采集显示,更好地使工作人员进行实时控制,提高了系统的稳定性和可操作性,可以达到节约成本,提高效率的良好前景。 相似文献
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分析了我国基础设施互动作用研究现状,提出农村基础设施系统化的基本方向。将层次分析法与模糊综合评判两种方法结合起来建立评价模型,分析了农村基础设施系统化以后的综合效益,有利于提高新农村建设的质量和进程。 相似文献
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采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜. 振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大. 由薄膜断面的扫描电镜(SEM)照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构. 这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用. 相似文献
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