分子束外延砷化镓单晶薄膜

MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光(4.2K) 和SIMS 测量分析.     

分子束外延GaAs单晶薄膜

本文主要介绍我们在自己研制的分子束外延(MBE)设备上进行的GaAs单晶薄膜的生长研究。这个工作从1980年开始,在不断改进分子束外延设备和外延生长条件的基础上,使MBEGaAs的性能有了大幅度的提高。     

MBE生长的InAs薄膜Hall器件

利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件,具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓＨａｌｌ器件的１．５倍）,不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中,具有广阔的应用前景