二氧化钛纳米管阵列光阳极的几何参数对染料敏化太阳能电池性能的影响

高度有序的TiO2纳米管阵列因其能够减少纳米管间的连接,增强矢量电子传递,抑制电子复合过程和增强光的散射,被认为是制作染料敏化太阳能电池光阳极的优秀材料。影响电池性能的因素主要包括:纳米管厚度,纳米管长度,纳米管孔径,纳米管内空间。集中讨论二氧化钛纳米管阵列光阳极的几何参数对染料敏化太阳能电池的影响,目的是找出纳米管光阳极理论上最佳的几何尺寸。     

FeGa/BTO/FeGa层状复合结构中的磁电效应

采用区域熔炼法制备了FeGa磁致伸缩材料并测量了其磁致伸缩性能.利用该材料制备了FeGa/BTO/FeGa层状复合结构,并对该样品的磁电性能进行了系统研究.结果表明,该材料在共振频率95kHz下,磁电性能高于低频下性能7～10倍.磁电电压随直流偏磁场的变化发生明显变化,出现5.97×104A/m的优化偏置场,这主要是由FeGa层的压磁系数q随偏磁场的变化所致.3层复合材料的磁电系数与交流驱动场变化呈线性关系.另外,较薄的BTO压电层可以提高压应力,从而获得较高的磁电性能.     

Fe72.5Ga27.5合金的定向凝固工艺与磁致伸缩性能研究

研究了晶体生长过程中的不同参数(温度梯度GL,晶体生长速度V)对Fe72.5Ga27.5合金晶体取向规律的影响。Fe72.5Ga27.5合金经过炉冷、空冷及淬火等热处理后,研究了热处理对<110>取向多晶合金磁致伸缩性能的影响,并通过微观组织分析进行必要的解释。结果表明:样品的性能与温度梯度和生长速度有着密切的关系。取向多晶样品热处理前后组织形貌没有明显变化,淬火后<110>轴向取向多晶FeGa样品的性能明显提高。     

Tb0.4Dy0.6(Fe1-xMnx)1.91(x=0,0.05,0.1 0,0.15)合金的磁致伸缩性能

研究了Mn替代Fe对多晶Tb0.4Dy0.6Fe1.91合金棒材性能的影响.分析了Tb0.4Dy0.6(Fe1-xMnx)1.91(x=0,0.05,0.10,0.15)多晶棒材的结构、晶格常数、居里温度和磁致伸缩性能,发现Mn替代Fe后,样品仍然为MgCu2型Laves相结构.随着Mn含量从0增加到0.15,样品的晶格常数从7.335A增加到7.347A,居里温度从668K降低到526K.Mn原子的替代通过改变材料的交换相互作用、总磁矩和易磁化方向影响材料的磁致伸缩性能.实验结果显示,Tb0.4Dy0.6(Fe1-xMnx)1.91样品在石=0.10时综合性能最好.     

热处理对FeCuNbSiB单层膜磁性能的影响

本文研究了热处理对FeCuNbSiB薄膜结构及磁性能的影响。XRD分析表明制备态的FeCuNbSiB为非晶态,并且在300℃热处理仍然保持非晶态。300℃热处理后,薄膜释放应力,软磁性能有所提高。热处理温度进一步升高,薄膜由非晶态转化为纳米晶,矫顽力及饱和磁化场明显增加,磁矩向垂直膜面方向转动,软磁性能下降。     

Fe81Ga19磁致伸缩合金的动态磁导率研究

研究了Fe81Ga19磁致伸缩合金在不同的偏置磁场和频率下的动态磁导率。在低频或准静态下,该合金的磁导率能够达到160以上,但随频率增加,磁导率逐渐下降,频率大于6 KHz时,磁导率的下降减缓,并逐渐趋于稳定。当施加平行偏置磁场时,磁导率明显降低,而施加垂直偏置磁场时,与零偏置磁场相比,磁导率除较低频率段有少量的下降外,基本保持不变。     

FeCoV/Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3/Ni薄膜复合结构的磁电效应

为了适应器件的小型化、提高薄膜两相复合磁电材料的磁电效应,采用磁控溅射方法在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)衬底上生长FeCoV薄膜和Ni薄膜,形成FeCoV/PMN-PT/Ni薄膜复合结构。采用动态磁电系数测量系统对复合结构的磁电性能和共振频率进行了研究。结果表明:复合结构的磁电系数随直流偏置场的增加呈现先增加后减小的趋势,在约39.8kA/m附近达到峰值17.8×10-3 mV·cm-1·A·m-1,在31.84kA/m的直流偏置场下,磁电电压随着交流激励场强度的增加呈线性增加。复合结构在85.5kHz下具有一个明显的共振峰,在共振频率下,磁电性能提高5倍以上。     

电流传感器用FeCoV薄膜的性能

采用磁控溅射方法制备FeCoV薄膜作为电流传感器中的磁敏材料.采用应变片法测量了FeCoV合金的磁致伸缩曲线,其饱和磁致伸缩系数约97×10-6;扫描电镜观察发现FeCoV薄膜致密度良好,颗粒均匀连续,断面形貌图可以看出薄膜呈柱状结构生长.FeCoV薄膜样品呈(110)取向生长,呈现明显的单轴各向异性.实验发现,FeC...     

基体温度对磁控溅射TiN薄膜电化学性能的影响

采用直流反应磁控溅射方法在AISI 304不锈钢和Si(100)表面沉积了TiN薄膜,利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响。结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密,但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹。薄膜为面心立方结构δ-TiN并存在择优取向,室温和150℃时的薄膜择优取向为(111)晶面,300℃和450℃时为(200)晶面;基体为室温时薄膜厚度为0.63μm,温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续升温对膜厚影响并不明显。薄膜在NaCl溶液中的腐蚀为点蚀,基体温度为150℃时的TiN薄膜具有最高的开路电位和点蚀电位以及最低的腐蚀速率,因此具有最佳的耐蚀性。     

硅对铁基磁粉芯性能的影响研究

分别从磁滞回线、损耗、磁导率及直流偏置特性来分析硅对铁基磁粉芯性能的影响。结果表明:随着硅含量的增加,磁粉芯的饱和磁感应强度降低,纯铁粉芯的饱和磁感应强度最大;磁粉芯损耗随着硅含量的增加而逐渐减小,纯铁粉芯的损耗最大,FeSi6.5的损耗最小;纯铁粉芯的磁导率要高于铁硅磁粉芯,但随着硅含量的增加,磁导率又缓慢上升;随着硅含量的增加,磁粉芯的直流偏置特性DC-bias稳定性降低。