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采用区域熔炼法制备了FeGa磁致伸缩材料并测量了其磁致伸缩性能.利用该材料制备了FeGa/BTO/FeGa层状复合结构,并对该样品的磁电性能进行了系统研究.结果表明,该材料在共振频率95kHz下,磁电性能高于低频下性能7~10倍.磁电电压随直流偏磁场的变化发生明显变化,出现5.97×104A/m的优化偏置场,这主要是由FeGa层的压磁系数q随偏磁场的变化所致.3层复合材料的磁电系数与交流驱动场变化呈线性关系.另外,较薄的BTO压电层可以提高压应力,从而获得较高的磁电性能. 相似文献
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研究了Mn替代Fe对多晶Tb0.4Dy0.6Fe1.91合金棒材性能的影响.分析了Tb0.4Dy0.6(Fe1-xMnx)1.91(x=0,0.05,0.10,0.15)多晶棒材的结构、晶格常数、居里温度和磁致伸缩性能,发现Mn替代Fe后,样品仍然为MgCu2型Laves相结构.随着Mn含量从0增加到0.15,样品的晶格常数从7.335A增加到7.347A,居里温度从668K降低到526K.Mn原子的替代通过改变材料的交换相互作用、总磁矩和易磁化方向影响材料的磁致伸缩性能.实验结果显示,Tb0.4Dy0.6(Fe1-xMnx)1.91样品在石=0.10时综合性能最好. 相似文献
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为了适应器件的小型化、提高薄膜两相复合磁电材料的磁电效应,采用磁控溅射方法在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)衬底上生长FeCoV薄膜和Ni薄膜,形成FeCoV/PMN-PT/Ni薄膜复合结构。采用动态磁电系数测量系统对复合结构的磁电性能和共振频率进行了研究。结果表明:复合结构的磁电系数随直流偏置场的增加呈现先增加后减小的趋势,在约39.8kA/m附近达到峰值17.8×10-3 mV·cm-1·A·m-1,在31.84kA/m的直流偏置场下,磁电电压随着交流激励场强度的增加呈线性增加。复合结构在85.5kHz下具有一个明显的共振峰,在共振频率下,磁电性能提高5倍以上。 相似文献
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采用直流反应磁控溅射方法在AISI 304不锈钢和Si(100)表面沉积了TiN薄膜,利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响。结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密,但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹。薄膜为面心立方结构δ-TiN并存在择优取向,室温和150℃时的薄膜择优取向为(111)晶面,300℃和450℃时为(200)晶面;基体为室温时薄膜厚度为0.63μm,温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续升温对膜厚影响并不明显。薄膜在NaCl溶液中的腐蚀为点蚀,基体温度为150℃时的TiN薄膜具有最高的开路电位和点蚀电位以及最低的腐蚀速率,因此具有最佳的耐蚀性。 相似文献
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