自适应控制技术在加热炉中的应用仿真分析

介绍了一种自校正自适应控制器的控制算法.其原理是运用增广最小二乘法进行系统的参数辨识,并运用最小方差设计控制器,以实现加热炉离线闭环模拟.计算机仿真结果表明这种控制器具有较理想的调节和跟踪能力,便于在工程中实现.     

一种改进型蔡氏电路的Pspice仿真研究*

介绍了一种四阶改进型蔡氏电路.首先建立了电路的数学模型,通过PSPICE软件研究了改进电路的混沌特性,然后采用驱动响应法实现了电路的混沌同步,最后通过仿真实验实现了此电路在保密通信中的应用.结论证明此电路产生的混沌信号比原蔡氏电路更加复杂,且通过改变RC并联电路参数即可很容易得到不同的混沌信号,因而更适用于混沌保密通信.     

电机与拖动实验教学改革研究与实践——基于应用型人才培养

以重庆科技学院为例,分析了电机与拖动实验教学的现状与存在的主要问题,借鉴德国应用科技大学的教育模式,从定位、评价体系和绩效考核等方面提出了实施电机与拖动实验教学改革的基本思路。     

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 结晶更好     

离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了（Ga,Mn,As）化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。     

基于CPLD/FPGA的脉搏测试仪的设计

简述了在EDA平台上利用硬件描述语言VHDL结合CPLD/FPGA器件，设计了一种数显式脉搏测试仪。通过测试和实际应用表明：其性能稳定、工作可靠、升级方便。     

(Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱

利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga As激子峰、1.4 875 e V处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带 .宽发光带的中心位置在 1.35 e V附近 ,半宽约 0 .1e V.在 84 0℃条件下对样品进行退火处理 ,退火后的谱结构类似退火前 ,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至 1.5 0 6 5 e V和 1.4 894 e V,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加 .这一宽发射带的来源还不清楚 ,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带 ,生成 Mn2 As新相 ,Mn占 Ga位或形成 Ga Mn As合金     

离子束外延生长半导体性锰硅化合物

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇电子谱深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部分Mn离子成功注入进Si基底里,注入深度为618nm.在840℃条件下在流动N2气氛中对生长样品进行退火,X射线衍射结果表明退火后Mn27Si47和Mn15Si26结晶更好.     

几种宽带城域网方案的比较分析

通过分析目前宽带城域网的局限性,比较基于SDH的MSTP、以ATM为基础的MSTP、以WDM为基础的MSTP和RPR技术的优缺点,并提出了下一代宽带城域网解决方案.     

(Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱

利用低能双离子束外延技术,在400℃条件下生长样品(Ga,Mn,As)/GaAs.样品光致发光谱出现三个峰,即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带.宽发光带的中心位置在1.35eV附近,半宽约0.1eV.在840℃条件下对样品进行退火处理,退火后的谱结构类似退火前,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5065eV和1.4894eV,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加.这一宽发射带的来源还不清楚,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带,生成Mn2As新相,Mn占Ga位或形成GaMnAs合金.