用于面垒型辐射探测器的NTD硅

为了制造性能优良的面垒型辐射探测器,需要具有高电阻率、杂质分布均匀的优质 N 型硅单晶。中子嬗变掺杂(neutron transmutation dop-ing)技术,掺杂的均匀性和可控性均优于其它掺杂方法。应用这种方法,将超高纯 P 型硅经过中子辐照,可以制成电阻率高于10KQ·cm 的 N 型非本征硅,称为 NTD 硅,可以符合制造探测器的要求。     

真空区熔特高阻硅单晶

真空区熔特高阻硅单晶是一种纯度很高的硅材料,它是制造配置于测量仪器中的各种高阻硅探测器的基础材料。本文对硅单品导电型号、电阻率及其不均匀性、少子寿命、晶体直径等方面进行了研究,取得很好的实验结果,其中P型硅单晶电阻率达(3-10)×10~4Ω·cm。     

高阻探测器级硅单晶

高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶硅的纯度,高阻硅单晶的制备技术及高纯工艺、高阻硅单晶电学参数的测量等几方面进行了研究。几年来,陆续向国内有关单位提供了小批量p型、电阻率高于2×10~4Ω·cm的硅单晶。现已研制出一批p型电阻率高于4×10~4Ω·cm的硅单晶。     

氢气保护FZ硅掺镓研究

掺镓硅(Si∶Ga)单晶是制作8～14μm波段红外焦平面阵列光电导探测器的优良材料,它可实现探测器阵列与信号处理电子线路的集成化。真空FZ硅掺镓试验表明,镓在区熔过程中一边发生分凝,一边向外蒸发。采用高纯氢气(略大于latm,纯度99.9999％)作保护气氛后镓的蒸发被抑制,硅中镶浓度已达1.8×10~(16)atom/cm~3,且纵向均匀性大为改善。新的掺镓方法避免了对超高纯硅棒可能引入的沾污,保证了单品质量。     

硅(锂)探测器级硅单晶的研制

硅(锂)探测器级硅单晶既要纯度高、又要控制电阻率范围,并能制造成性能优良的探测器。本文从硅烷多晶硅的高纯特点出发,根据钼管多晶硅棒这一具体条件,提出了中心孔道掺杂法。平用此法后,P型硅单晶的电阻率能控制在1000～3000欧姆·厘米,与目标电阻率一致。电阻率均匀性也取得较大改善。中国原子能科学研究院用我校提供的这类硅单晶,制成了能量分辨率达157电子伏特的X射线探测器。     

寓育人于实践教学的尝试

思想政治工作是一个极为复杂的系统工程,它是由许多不同的层面和组织组成的复合体。青年大学生是国家的未来和希望,对他们的思想     

硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响

本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响．为获得满意的反向恢复时间，硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度．头、中、尾部的硅片最佳预退火温度分别为600℃、700℃、800℃，这是因为不同部位的硅片中主导少子寿命的因素不同．