电子工业部激光红外专业情报网建网十周年——工作回顾及展望——

电子工业部为加速发展激光与红外科学技术和生产技术,密切科研、生产、应用和教学间的联系,加强情报信息交流协作,于1976年成立了激光专业和红外专业两个科技情报网的组织。十年来,在上级主管部门领导和网成员单位的共同努力下,两网在组织和活动方面都取得了很大的发展。激光网建网初期成员有34个单位,现有正式成员50个单位,联系单位4个,网内分设团体激光器、气体激光器、应用技术、光纤和光学加工与镀膜五个专业组;红外网建网初期有21个单位,现有正式成员27个,联系单位4个;网内分设材料、器件、应     

十一所1985年科技进展

激光晶体第一代Nd:YAG晶体早已鉴定。近年来进行了自行研制中频感应单晶炉自动控制系统,对材料进行了大量的物理、化学、光谱分析研究。对制造单晶工艺、光学加工和光学镀膜工艺均进行了一系列的改革,采用了先进的标准,完成了JYN-1型掺钕钇铝石榴石激光晶体捧系列产品研制。晶坯直径达40mm。在晶坯端截面进行光学参数检测后,用已获国家发明奖的“局部共振的超声振动系统及其在非导电脆性材料超声加工深孔中的应用”方法在预选区套取棒料,大大提高了材料利用率和生产效率。用多根成盘加工晶体棒工艺(1985年鉴定)加工,效率比单根手抛或机抛高十几倍。     

从1985年CLEO会议看固体激光技术的发展

一会议简况 1983年激光与电光学会议(CLEO'83)5月17～20日在美国马里兰州巴尔的摩市召开。它是由美国的OSA和IEEE的QEAS联合发起召开的。该会议每年举行一次,在美国东西海岸交替进行。1984年的第四届会议将于6月18～22日在美国西岸加州洛杉矶市附近的Anaheim举行,会议主席是光谱物理公司的Dean T. Hodges和斯坦福大学的William T. Silfrast。今年到会的人数约2500人,我国参加会议     

增强网的活力 扩展网的行业作用——1987年工作回顾和1988年展望

电子工业部激光专业情报网和红外专业情报网在1987年内在电子工业部科技司和基础产品发展研究中心指导下,按预定计划完成了年度任务。1987年的网组长扩大会议开得较早,在2月11～13日于北京举行。会议传达了上级文件,总结了1986年度工作,讨论了1987年计划。1.组织工作1987年初,激光网有成员单位65个(其中大学占22％,研究所33％,工厂45％);红外网有成员单位40个(其中大学占18％,研究所     

MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究

用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份与DMCd/DETe之比的关系;x值与汞源温度的关系。生长CdTe和HgCdTe外延层的衬底温度分别约为:370℃和420℃。汞源温度约为280℃,汞压约0.02atm。DMCd/DETe随生长x值不同而不同。气流在2.6～3.7cm/s之间。     

MOCVD法在GaAs衬底上生长CdTe的研究

本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。所采用的有机金属源——二甲基镉和二乙基碲及其包装鼓泡钢瓶,是化工部光明化工研究所首次研制成功的。     

中国激光器市场

我国激光科研起步较早,出现了一批水平较高的科技成果。在国防上得到较广泛的应用,如测距,靶场光测等。但在民品市场上开发较晚,未形成产业规模。近年来一些大专院所开始住意开发产品,国外公司也相继进入我国市场,激光应用及市场日趋活跃。 本文主要是对国内激光行业销售市场进行分析,列出了1993～1995年的销售资料并结合世界激光市场销售情况,进行了对比分析。 表1是市场上各类激光器在1993～1995年间     

MOCVD法生长HgCdTe／CdTe／GaAs多层异质结材料工艺和性能研究

本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与汞源温度的关系,当汞源温度固定时,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与气体流速V的关系。并采用多种方法分析HgCdTe外延片的表面形貌,结晶性,界面和缺陷,Te、Cd、Hg、Ga、As的截面分布,组份和其均匀性,光电性能等。测得HgCdTe和缓冲层CdTe的FWHM为450弧度秒,界面平坦、清晰,过度层约0.12μm。生长x值为0.1～0.8mol,均匀性△X=0.008。典型样品的性能,在77K电子浓度为1.4×10~(16)cm~(-3),迁移率为7.4×10~4cm~2/v·s,透射率为42％。     

Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S.E.M和电子衍射以及用X射线能谱进行了研究和测量。     

Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。