硅外延的新工艺——低温液相外延

据报道,最近西德马克斯——布朗克固体研究所,已研究了一种在Ga溶液中液相外延硅的新方法,与汽相外延及一般液相外延法比较,此法具有更低的沉积温度,较高的沉积速率,品格缺陷密度低和少子寿命较高等优点。该工艺简述如下:采用浸溃法,最大的衬底尺寸     

生长参数对InGaAsP/InP双异质结液相外延层性能的影响

前言随着光纤中氢氧根浓度的下降,人们已发现在InGaAsP/InP发射的整个波长范围内(1.1μm～1.65μm),光传输的损耗都比目前采用的GaAlAs/GaAs(0.85μm)要低得多。所以国内外都在积极开展长波长光源及探测器材料InGaAsP/InP的研究,亦都取得了相当的进展。从器件应用的角度来看,除了要求各层厚度、载流子浓度、晶体完整性、杂质种类外,还要求外延层间界面要十分平直,外延层表面要平坦,无残留InP液以及各层的掺