光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。     

Nd-Fe-B永磁体化学镀镍抗腐蚀性能的研究

利用化学镀镍方法成功地实现了对稀土永磁体Nd-Fe-B的抗腐蚀性保护。选择适当的预处理工艺与专用化学镀镍槽液相结合,可获得抗腐蚀性能良好的镍保护层,化学镀双层镍的抗腐蚀性能尤其突出。     

用多晶硅吸杂和SiO2背封工艺提高硅片质量

我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO~2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺稳定，硅片已远销国外。     

微机电系统中的材料和加工

本文主要讨论微机电系统中的常用材料和加工技术。具体分析了Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、金刚石和石英等材料的性能及其在微机电系统中的应用,并论述了材料的各向同性和各向异性刻蚀加工技术以及材料间的健合工艺。