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以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al2O3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr3C2)薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr3C2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响。结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度(130)择优取向的Cr3C2薄膜。随着沉积温度的升高,Cr3C2薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大。在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的(130)择优取向的最佳Cr3C2薄膜。同时,在实验条件下Cr3C2薄膜表面存在少量的碳和Cr2O3。 相似文献
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介绍了62 m挥发窑的工艺特点,重点叙述了某湿法炼锌系统62 m挥发窑工程在处理浸出渣、余热锅炉、电收尘、脱硫、自动化控制、环保、节能等方面采用的先进技术和设备。 相似文献
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为了提高超导薄膜的载流能力,本文通过MOCVD法,在1-5层(100)取向的氧化铈缓冲层薄膜上制备YBa2Cu3O7-σ薄膜。研究了缓冲层层数对YBa2Cu3O7-σ薄膜物相组成、结晶度、面内取向、微观形貌和超导性能的影响。结果表明,当缓冲层数为1-2时,薄膜呈现高度(001)取向生长;当缓冲层数为4-5时,薄膜呈现高度(110)取向生长。其中氧化铈薄膜层数为1时,YBCO薄膜结晶度和面内取向最好,其ω和Ф扫描曲线的FWHM值分别为2.63°和5.21°;随着缓冲层数的增加,YBCO薄膜结晶度和面内取向均呈现变差的趋势。氧化铈缓冲层与YBCO薄膜之间的外延生长关系为YBCO[001]//CeO2[100]和YBCO[010]//CeO2[011]。缓冲层数为1的YBCO薄膜表面主要由大面积c轴取向的晶粒组成,其厚度为485 nm,沉积速率为4.85μm/h,其液氮温度(77 K)下的临界电流为20.8 A,相比于缓冲层数为0的超导薄膜临界电流有所提升。 相似文献
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BLI(Boundary Layer Ingestion)推进系统能显著降低飞机耗油率,但会随之带来风扇进气畸变问题,并严重影响其气动性能。为降低进气畸变条件下风扇叶型的损失并提高其抗畸变能力,选取某可控扩散叶型CDA(controlled diffusion airfoil)为研究对象,以最小化叶型损失和损失对攻角的敏感性为优化目标,通过多目标遗传算法MOGA(Multi-objective genetic algorithm)结合BP(Back-Propagation)神经网络对叶型进行多目标优化。经过优化,得到了在进气畸变条件下有较好气动性能的风扇叶型。与初始叶型相比,叶型在正攻角下的损失显著降低,同时其损失对攻角的敏感性降低了32%,低总压损失范围拓宽了21%。 相似文献
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针对自动导引小车(AGV)轨迹跟踪过程中如何快速平稳消除行进所产生的距离和角度误差问题,提出了一种改进等速趋近律的滑模轨迹跟踪控制方法。在全局坐标系下建立了AGV运动学模型,基于反演算法(Backstepping)处理非线性系统的控制策略得到AGV的滑模切换函数,从而解决了非线性系统滑模控制切换函数难的问题;为了更好地实现AGV从任意初始的偏差状态达到滑模切换面,针对等速趋近律中ε常数对趋近过程的影响,通过连续的函数取代原趋近律中的符号函数,得到基于改进等速趋近律AGV滑模控制的切换函数式和轨迹跟踪的控制律式。通过仿真数据与实验结果表明,所提出的轨迹跟踪控制方法能够使AGV在不同转弯半径和不同速度下均能实现较快的误差纠偏,并最终使系统趋于稳定。 相似文献
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为了提高AGV路径跟踪的精度和稳定性,针对最常用的差速AGV系统,先将系统离散化,得到离散AGV系统状态方程,再结合指数趋近律和变速趋近律两种趋近律进行滑模控制,提出了一种基于组合趋近律的离散AGV系统滑模控制方法,优化AGV小车在小偏差下路径跟踪的效果。通过工厂应用测试,在对接最大允许误差5 mm的测试条件下,验证了该方法可以避免AGV小车路径跟踪时起始摆动大和高频抖动的缺点,实际测得车身横向摆动误差5 mm。 相似文献
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