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1.
区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响
陈燕生
李秋生
王丛华
陈炳贤
高秀清
《稀有金属》
1990,(1)
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈大热快比愈小,辐照施主峰愈大。
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