以二水石膏为发泡剂制备多孔陶瓷及其性能研究

以二氧化硅、氧化铝分析纯为主要原料,二水石膏为发泡剂制备多孔陶瓷,研究发泡剂的用量和烧成温度对多孔陶瓷导热系数、质量吸水率、抗压强度的影响。研究结果表明：随着发泡剂用量和烧成温度的提高,多孔陶瓷的吸水率增大,抗压强度下降。当烧成温度1260℃,二水石膏用量6%时,制备的多孔陶瓷晶相主要为石英和镁橄榄石,吸水率6.83%、导热系数0.315 W/(m·K)、抗压强度13.68 MPa,具有良好的综合性能。     

非晶TiO2薄膜激光晶化

以中频孪生非平衡磁控溅射沉积设备制备的非晶氧化钛薄膜为前驱体,采用激光晶化技术实现了从非晶氧化钛到纳米氧化钛的相变过程。研究结果表明,在所选取的激光功率范围内,晶化氧化钛薄膜主要是由纳米尺度的锐钛矿和金红石所组成。随着激光功率的增大,晶化薄膜中金红石相的含量逐渐增多,晶粒尺寸逐渐增大,硬度、弹性模量及耐磨性逐渐提高。     

稀土元素Tm掺杂对Cu2S热电性能影响研究

Cu₂S具有较低的晶格热导率和窄禁带宽度,它热电性能优异、成本低廉且无毒等优点引起了热电材料相关研究领域的广泛关注。采用水热合成法与真空烧结法相结合的方式制备Cu₂S基热电材料,通过物相、成分表征和热电性能测试等手段,研究稀土元素Tm掺杂对Cu₂S基材料热电性能的影响规律,并采用第一性原理开展掺杂后Cu₂S能带结构和态密度计算。研究结果表明,水热合成法可以获得Cu₃₁S₁₆粉体,在真空烧结过程中物相发生了转变,从原来的Cu₃₁S₁₆转变为Cu₂S。掺杂Tm元素可显著提高Cu₂S粉体的结晶性能,随着掺杂含量的增加,Cu₂S团聚现象逐渐消失。Cu₂S塞贝克系数随Tm掺杂量的增加有所提升,其中掺杂2%Tm的Cu₂S在350℃处于相变温度,塞贝克系数达到峰值1589.71μV/K;随掺杂元素的增加和温度的升高,C...     

孔隙率对氧化铝基可溶陶瓷型芯性能的影响

氧化铝基陶瓷型芯的可溶性是影响型芯应用于制造高性能燃机叶片的关键。研究了孔隙率对氧化铝基陶瓷型芯性能影响的规律。结果表明,型芯的溶失过程主要是莫来石相的溶失;型芯溶失性随着孔隙率的增加呈先增加后趋于稳定的变化规律,型芯强度则逐渐下降。当孔隙率为41.8%时溶失速率可达7.6mg/min,室温抗折强度超过14MPa;单次碱煮时间不宜超过4h。     

陶瓷颗粒增强铁基复合材料制备技术综述

介绍了常用的陶瓷增强颗粒及其物理、力学性能,重点综述了陶瓷颗粒增强铁基复合材料典型制备技术的优缺点及应用现状。针对陶瓷颗粒增强铁基复合材料错综复杂的影响因素,指出将现有制备技术与计算机模拟技术相结合是今后陶瓷颗粒增强铁基复合材料制备技术的一个重要发展方向。     

氧流量和钛掺杂对WO3电致变色性能的影响

采用中频孪生磁控溅射技术制备非晶WO3薄膜.拉曼光谱、X射线衍射(XRD)、紫外分光光度计、计时安培分析仪等测试手段分析薄膜的结构、吸收光谱、透射光谱及响应时间.研究了氧流量和钛掺杂对薄膜电致变色性能的影响.结果表明原始非晶态WO3薄膜在较高O2流量比份(＞ 95%)条件沉积时,表现出更好的变色性能,对于500 nm～800 nm可见光范围,薄膜的透光率差值大于60%.钛掺杂后吸收光谱向短波方向移动,且掺杂5%后,近紫外线区域吸收率明显提高.掺杂5%,10%后响应速度提高了1倍,但着色效率降低.     

Li_2O-ZnO-Al_2O_3-SiO_2微晶玻璃热处理制度的研究

通过两步法制备Li2O-Zn O-Al2O3-Si O2(LZAS)系微晶玻璃,并通过正交实验探究不同热处理工艺参数对微晶玻璃致密化的影响,使用P2O5作为晶核剂。结果表明;玻璃转化温度为492℃,析晶温度为560℃和714℃,材料软化点为685℃。各参数对微晶玻璃致密化的影响顺序为晶化温度晶化时间核化温度核化时间;析晶量主要受晶化温度和晶化时间影响;当温度为560℃时,开始有少量晶体析出,当温度超过580℃,主晶相为锂辉石,并且还有少量锂霞石;锂辉石的增多导致材料致密度下降。     

聚变用V-Cr-Ti合金的研究进展

V-Cr-Ti合金与其他合金相比具有很多优良的性能,是重要的聚变反应堆候选结构材料。介绍了VCr-Ti合金的力学性能、高温性能、中子辐照的影响等,并阐述了氢对V-Cr-Ti合金力学性能的影响和产生氢脆的原因以及其他微量元素对V-Cr-Ti合金性能的影响。最后指出了目前V-Cr-Ti合金的研究热点和应用中存在的问题,并对今后V-Cr-Ti合金的研究重点进行了分析。     

90°弯管磁过滤阴极弧沉积类金刚石膜的特性分析

利用动态机械热分析仪研究了四种镁硅合金的阻尼性能.研究表明:铸造镁硅合金具有良好的阻尼性能.并且体现出有别于纯镁的新阻尼特征,铸造镁硅合金具有较纯镁在更大应变振幅范围内的弛豫型内耗.由于Mg2 Si对晶界的钉扎作用,界面阻尼峰出现在较纯镁更高的温度.少量钙的添加改善了Mg2 Si析出的形态,但对阻尼性能的影响似乎不明显.     

中频磁控溅射NiO_x电致变色薄膜(英文)

采用中频孪生非平衡磁控溅射技术,制备了纳米晶结构NiOx电致变色薄膜。利用原子力显微镜、掠射X射线衍射、电化学设备、紫外分光光度计等测试手段分析薄膜结构及电致变色特性。结果表明:室温沉积获得表面质地均匀的NiOx薄膜;在±3V致色电压下,薄膜电致变色性能优异,对可见光透过率调制范围达30%以上,但薄膜寿命低。获得的薄膜为结构疏松的纳米晶结构,易于离子的注入和抽取,变色性能优异,但易发生Li+不可逆注入,薄膜寿命低。