浅议如何提高毕业设计质量

毕业设计是工科院校学生在校期间进行的时间最长、份量最重的一项实践教学环节，对培养学生综合运用所学知识、技能分析与解决问题能力，理论与实践相结合的能力起着至关重要的作用，也是对教学效果的总体检验，其质量的好坏直接关系到能否达到培养目标。随着国家教育体制改革的不断深入，学校培养的学生能否适应改革的需要，在当今激烈的社会竞争中能否争得一席之地，也是关系到学校发展的重大问题，在上述诸多方面中，毕业设计必将成为至关重要的一环。     

DEEP LEVELS RELATED TO COPPER IN SILICON

Energy positions and carrier capture cross sections of the deep levels related to copper insilicon are measured by the DLTS.The annealing behaviour and spatial distributions of some of these levelsare also studied.The results show that there are no triple aceeptor or quadruple states corresponding to thesubstitutional copper in silicon,which have been reported in literature.Most of the deep levels related tocopper in silicon correspond to complexes of copper and defects in silicon.     

一种控制晶体管h_(FE)的新技术

本文介绍了利用电子辐照技术控制晶体管h_(FE)(共发射极电流放大系数)的新技术,并用DLTS深层瞬变光谱方法研究了辐照后在晶体管中引入的缺陷.     

MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量

本文对MIS结构的C-t过程作了动力学分析.结果表明:一般情况下,界面态只在界面的耗尽和半导体表面反型的过程中对C-t特性有不可忽视的影响;当半导体表面强反型以后,C-t过程的Zerbst图的非线性行为主要是半导体表面层中少子产生寿命的不均匀空间分布造成的.文中首次提出利用脉冲偏置C-t过程测量半导体表面层中少子产生寿命空间分布的方法,并以II型硅MOS电容器为例作了测量.     

关于加强研究生培养的几点思考

21世纪是知识经济时代，国际竞争日益激烈，世界各国都面临着严峻的挑战。若想自如地应对挑战并在激烈的竞争中取胜，必须有足够的优秀人才。而我国高校、科研院所培养的高层次人才——研究生．无疑将成为应对挑战、参与竞争的主力军，这就给我们提出了一个严肃的课题——如何培养德智体全面发展的高层次、高质量的研究生?     

关于a—Si：H电池稳定性的实验

本文对辉尤放电法(GD法)制备的非晶硅(a-Si:H)太阳电池样品进行了光致效应的实验,研究其暗电导、光电导及在不同光强、光照温度下的变化规律,较深入地讨论现象和产生机理。     

学科建设工作的思考与实践

近几年,高等教育改革和发展的步伐大、速度快,国家和地方政府对高校的投入也明显增加.各种因素的综合作用,使高校之间的竞争日益激烈,而这种竞争主要表现在学科间的竞争.在这种形势下,许多高校将学科建设作为工作重心,拿出相当数额的经费加强学科建设.学科建设是一项综合性很强的系统工程,涉及到学科布局、硬件条件、学术队伍、学术氛围乃至学风等方方面面.     

Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布

本文提出一个利用电容瞬态技术直接由俘获过程测量不同能量位置界面态俘获截面的新方法,并用它测量了n型Si-SiO_2界面态对电子的俘获率和俘获截面.结果表明界面态的电子俘获截面强烈地依赖于界面态的能量位置,即除了导带之下0.53到0.38cV能量区间之外,俘获截面随着能量向导带底方向变化几乎呈指数地衰减.本文还提出,在界面态的俘获截面与能量有关的情况下,将界面态发射载流子的DLTS 谱返原成界面态密度随能量分布的方法,并利用它分析了原子氢和分子氢对n型Si-SiO_2界面态的退火效果.     

利用电子辐照效应改造硅外延PNP晶体管

本文介绍了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成开关晶体管的一种新方法,实用证明该方法是成功的,可取代传统的掺金工艺。文中报道了用深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究电子辐照引入缺陷的性质,证明这些缺陷具有很好的热稳定性;测到了H(0.41)能级。