Fe－N系磁性材料的研究现状及展望

对Ｆｅ－Ｎ系中Ｆｅ４Ｎ和Ｆｅ１６Ｎ２磁性材料的研究现状进行了评述，并对Ｆｅ－Ｎ系磁性材料的发展方向提出了作者的观点．     

六角铁氧体的多铁性

单相多铁性材料一般指铁电性和铁磁性共存的一类特殊功能材料.铁电性和铁磁性间的相互耦合导致外加磁场能影响其铁电序或者外加电场能影响其磁有序.这种磁电耦合效应使得诸多新型功能器件的实用成为可能,例如超敏传感器、电写磁读技术、高密度四态存储,低能耗逻辑器件等.按铁电性起源可以将单相多铁性材料划分为第一类和第二类多铁性材料:第一类多铁性材料中,铁电序和磁有序的物理起源相互独立;而第二类多铁性材料的铁电序来源于其特殊的磁有序结构.六角铁氧体作为第二类多铁性材料中的典型代表,近十年来得到广泛而深入的研究.归纳了近期六角铁氧体多铁性研究的主要进展,介绍了其多铁性起源、磁电耦合机制以及功能器件应用方面的科研成果,并对六角铁氧体多铁性的研究进行了展望.     

Low-field magnetic entropy changes in （Gd1-xYx）3Al2 alloys

The effects of Y substitution on the magnetic properties and magnetocaloric effect of(Gd1-xYx)3Al2(x=0-0.3) alloys were investigated by X-ray diffraction and magnetization measurements.All samples crystallized in single phase with Zr3Al2-type tetragonal structure.The lattice parameters and magnetic transition temperature decreased obviously with increasing Y content.The magnetic entropy change and refrigerant capacity of these alloys were calculated.The adjustable transition temperature and favorable proper...     

磁场退火对La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3低场磁电阻增强效应的研究

为了提高La0.7Sr0.3MnO3的低场磁电阻效应,将样品进行了磁场退火处理。实验结果表明,磁场退火并没有改变样品的磁矩,但对其磁各向异性产生了较大的影响。与零磁场下退火的样品相比,磁场退火样品的磁电阻明显提高。这种增强效应在低磁场下更加明显,在0.1 T的外磁场下,磁退火样品的磁电阻比零场退火的提高了140%。利用自旋极化隧穿机制解释了这种增强的磁电阻效应。     

南京大学磁性材料研究中的若干进展

简要报道了近年来在南京大学磁性材料研究中的若干进展，内容涉及：核壳结构复合纳米材料的制备与磁性，原子尺度磁性材料的自组织制备，各向异性永磁薄膜，轻稀土巨磁致伸缩材料，磁致冷材料，多铁性材料，双钙钛矿室温隧道磁电阻效应，自旋电子学材料，稀磁半导体中的RKKY互作用及团簇化对铁磁性的影响，有机体系中的自旋输运等。     

Ni_(43)Mn_(46-x)T_xSn_(11)(T=Fe,Co,Ni)合金的马氏体相变和磁熵变

通过示差扫描量热仪和振动样品磁强计对Ni43Mn46-xTxSn11(T=Fe,Co,Ni)铁磁形状记忆合金的相变、磁性以及磁熵变进行了研究。结果表明,由于价电子浓度的增加,Fe,Co,Ni替代Mn使马氏体转变温度大幅提高。Fe,Ni掺杂对马氏体居里温度(TCM)影响不大,Co则使TCM略有下降;奥氏体居里温度(TCA)对成分比较敏感,Fe,Ni的加入均使TCA略有提高,而Co则会大大提高TCA。由于马氏体相变伴随着磁化强度的突变,Ni43Mn46-xTxSn11合金在马氏体相变附近具有较大的低场磁熵变,对于Ni43Mn41Co5Sn11在室温1T磁场下磁熵变达到了19J.kg-.1K-1。通过调节成分,磁熵变峰值温度可以在199和294K之间调节,同时保持了较大低场磁熵变。     

基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μmBCDliteTM工艺的微型CMOS五电极垂直型霍尔器件的研究

为了解决五电极垂直型霍尔器件（5CVHD）电流灵敏度较低以及器件流片迭代周期较长、成本较高的问题,基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μmBCDliteTM工艺在有限元分析软件COMSOL中进行器件结构设计和仿真,研究器件结构和工艺参数对5CVHD性能的影响,并且选取代表性参数进行流片与测试。通过仿真和流片实测发现,减小电极长度(w)和探测电极与中间偏置电极距离(d2),增加器件长度(l)以及添加一层P型覆盖层有助于提高5CVHD的性能,当有源区深度为7μm时,2.5μm厚度的P型覆盖层能够改善5CVHD的性能。