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1.
采用一个Mo-Fe-Ni-Co四元扩散偶试样,测定了Mo-Fe-Ni和Mo-Ni-Co在1200℃时的两个三元系等温截面;并借助金相显微镜、扫描电镜能谱仪以及电子探针,确定了Mo-Fe-Ni三元系在1200℃时三元合金中三元化合物P相的存在。该系统中存在bcc(Mo)、μ-Fe7Mo6、δ-MoNi、bcc(Fe)、fcc和P六个单相区;在Mo-Ni-Co三元系中存在bcc(Mo)、δ-MoNi、μ-Co7Mo6和fcc四个单相区。 相似文献
2.
3.
高能球磨及掺杂对AgSnO2触头材料性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用化学共沉淀法及高能球磨工艺制备微米级Ag包覆SnO2复合粉末,然后采用冷等静压和烧结热挤压法制备AgSnO2材料。通过对组织结构的观察及材料性能的测试,表明添加微量元素能提高Ag对SnO2的润湿性,改善AgSnO2材料熔体的粘性。利用高能球磨工艺能制备出10μm以下的AgSnO2粉末,其SnO2均匀分布在Ag基体中。所得材料组织弥散均匀,晶粒细小,密度达9.94g/cm^3,硬度为HV109,具有优良的加工和使用性能。 相似文献
4.
5.
以AgNO3为原料,抗坏血酸为还原剂,羧甲基纤维素为分散剂,采用化学液相还原法制备超细银粉,重点研究了加料方式、分散剂用量、体系pH值和反应温度对银粉特性的影响。结果表明:加料方式和分散剂用量均对银粉分散性有直接影响;随着pH值的增加,银粉的粒度逐渐减小但分散性降低;而反应温度对银粉性能的影响很大,在30℃、35~45℃、50℃不同温度下,银粉形貌依次为球形、类球形、树枝状,其分散性和振实密度逐渐降低。最佳工艺条件如下:加料方式为将AgNO3溶液加入到还原溶液中,分散剂与还原剂质量比为0.015,控制pH值为2,反应温度为30℃。在此工艺条件下,制备出高分散性、振实密度4.6g/mL、平均粒度3.95μm的超细银粉,可满足太阳能电池正面银浆材料的要求。 相似文献
6.
7.
包覆轧制过共晶高硅铝合金材料的性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
针对应用广泛的过共晶高硅铝合金,采用熔炼铸造与包覆轧制相结合的方法,制备了Si含量>26%的高硅铝合金材料,通过电子金相显微镜和扫描电镜对合金材料的微观组织进行了分析,并对材料进行了热膨胀系数、气密性及抗拉强度的测定.实验结果表明:包覆轧制可有效阻止脆性材料裂纹的扩展;在100~400℃,Si含量为28.49%的高硅铝合金材料在纵向的热膨胀系数的平均值为16.3×10-6,横向为16.2×10-6,气密性为0.9966×107,材料纵向的室温抗拉强度为135.610 MPa;Si含量为32.08%的材料,在100~400℃,纵向的热膨胀系数的平均值为1 5.9×106,横向为15.8×106,气密性为3.4×10,材料纵向的室温抗拉强度为93.96MPa. 相似文献
8.
9.
低温烧结型银浆料对半导体芯片贴装性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究低温烧结型银/玻璃体系浆料的成分配比、制备工艺及其半导体芯片贴装烧结工艺,探讨浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的成分对浆料烧结体的微观组织、热导率、线膨胀系数及芯片组装的剪切力之间的影响关系,利用理论模型计算浆料烧结体的热导率和线膨胀系数,分析其理论计算值与实测值差异的影响因素。结果表明:随着玻璃粉含量的增加,浆料烧结体的线膨胀系数及热导率逐渐降低,当银粉和玻璃粉的质量比为7:3,固体混合粉末与有机载体的质量比为8:2时,芯片贴装后可满足热导率和线膨胀系数性能的要求,同时所承受的剪切力最大。 相似文献
10.
混合电容器多孔氧化钌阴极涂层的制备与表征 总被引:5,自引:0,他引:5
采用电沉积方法制备了混合电容器钽基多孔氧化钌阴极涂层材料,探讨了电沉积过程中电沉积液的pH值随电沉积时间的变化关系,研究了电沉积时间对氧化钌沉积质量的影响.用X射线衍射和扫描电镜分别表征了热处理前后的涂层结构及涂层的多孔形貌,用循环伏安法测量了涂层的电容,并研究了热处理温度对电容量大小及其稳定性的影响.结果表明:电沉积的氧化钌为非晶态,涂层为纳米多孔结构;热处理有利于涂层孔隙结构及大小的均匀性,不同温度的热处理使涂层具有不同的电容,经热处理后涂层的电容稳定;经100℃热处理1 h后的多孔氧化钌涂层具有最大的比电容. 相似文献