四元扩散偶技术及其在相图研究中的应用（Ⅱ）Mo－Fe－Ni和Mo－Ni－Co三元系在1200℃时的相平衡

采用一个Ｍｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ四元扩散偶试样，测定了Ｍｏ－Ｆｅ－Ｎｉ和Ｍｏ－Ｎｉ－Ｃｏ在１２００℃时的两个三元系等温截面；并借助金相显微镜、扫描电镜能谱仪以及电子探针，确定了Ｍｏ－Ｆｅ－Ｎｉ三元系在１２００℃时三元合金中三元化合物Ｐ相的存在。该系统中存在ｂｃｃ（Ｍｏ）、μ－Ｆｅ７Ｍｏ６、δ－ＭｏＮｉ、ｂｃｃ（Ｆｅ）、ｆｃｃ和Ｐ六个单相区；在Ｍｏ－Ｎｉ－Ｃｏ三元系中存在ｂｃｃ（Ｍｏ）、δ－ＭｏＮｉ、μ－Ｃｏ７Ｍｏ６和ｆｃｃ四个单相区。     

7475铝合金断裂韧性KIC的各向异性

采用标准紧凑拉伸试样测定了7475铝合金T-L和L-T向的平面应变断裂韧性KIC值。利用扫描电镜分析了断口形貌,对7475合金KIC各向异性的程度和机理进行了研究。结果表明:7475合金的断裂韧性具有明显的各向异性,T-L向的KIC约比L-T向低10MPa·m1/2或25%左右。同一取向上,KIC的大小与时效制度及加工工艺有关。     

高能球磨及掺杂对AgSnO2触头材料性能的影响

利用化学共沉淀法及高能球磨工艺制备微米级Ag包覆SnO2复合粉末，然后采用冷等静压和烧结热挤压法制备AgSnO2材料。通过对组织结构的观察及材料性能的测试，表明添加微量元素能提高Ag对SnO2的润湿性，改善AgSnO2材料熔体的粘性。利用高能球磨工艺能制备出10μm以下的AgSnO2粉末，其SnO2均匀分布在Ag基体中。所得材料组织弥散均匀，晶粒细小，密度达9．94g／cm^3，硬度为HV109，具有优良的加工和使用性能。     

Al-35Si高硅铝合金热变形行为的研究

采用Gleeble-1500热模拟机对电子封装用Al-35Si高硅铝合金进行了恒温和恒应变速率下的热压缩变形实验,温度范围为370～550℃,应变速率为0.05～0.45s-1,得到了其真应力-真应变曲线.结果表明:在实验范围内,此合金的流变应力随变形温度的升高、应变速率的降低而降低,在不同变形条件下真应力软化机制分别受动态回复和动态再结晶控制,并且应变速率敏感性指数m随温度的升高呈上升趋势.     

太阳能电池正面银浆用高分散超细银粉的制备

以AgNO3为原料,抗坏血酸为还原剂,羧甲基纤维素为分散剂,采用化学液相还原法制备超细银粉,重点研究了加料方式、分散剂用量、体系pH值和反应温度对银粉特性的影响。结果表明:加料方式和分散剂用量均对银粉分散性有直接影响;随着pH值的增加,银粉的粒度逐渐减小但分散性降低;而反应温度对银粉性能的影响很大,在30℃、35～45℃、50℃不同温度下,银粉形貌依次为球形、类球形、树枝状,其分散性和振实密度逐渐降低。最佳工艺条件如下:加料方式为将AgNO3溶液加入到还原溶液中,分散剂与还原剂质量比为0.015,控制pH值为2,反应温度为30℃。在此工艺条件下,制备出高分散性、振实密度4.6g/mL、平均粒度3.95μm的超细银粉,可满足太阳能电池正面银浆材料的要求。     

高硅铝合金几种常见制备方法及其细化机理

高硅铝合金根据制备方法的不同,其细化方法及原理也有所不同.主要综述了熔炼铸造、快速凝固粉末冶金和喷射沉积工艺制备高硅铝合金的方法及其细化机理.     

包覆轧制过共晶高硅铝合金材料的性能研究

针对应用广泛的过共晶高硅铝合金,采用熔炼铸造与包覆轧制相结合的方法,制备了Si含量＞26%的高硅铝合金材料,通过电子金相显微镜和扫描电镜对合金材料的微观组织进行了分析,并对材料进行了热膨胀系数、气密性及抗拉强度的测定.实验结果表明:包覆轧制可有效阻止脆性材料裂纹的扩展;在100～400℃,Si含量为28.49%的高硅铝合金材料在纵向的热膨胀系数的平均值为16.3×10-6,横向为16.2×10-6,气密性为0.9966×107,材料纵向的室温抗拉强度为135.610 MPa;Si含量为32.08%的材料,在100～400℃,纵向的热膨胀系数的平均值为1 5.9×106,横向为15.8×106,气密性为3.4×10,材料纵向的室温抗拉强度为93.96MPa.     

热处理工艺对Cu-3.0Ni-0．52Si-0.15P合金组织和性能的影响

针对时效强化型高强导电弹性Cu-Ni-Si系合金,研究了热处理工艺和预冷变形对Cu-3.0Ni-0.52Si-0.15P合金硬度、抗拉强度、屈服强度和电导率的影响规律.结果表明,该合金的最佳固溶处理工艺为920℃×60 min,经80%预冷变形后再经450℃×0.5h时效,其综合性能达到最佳匹配,抗拉强度和屈服强度分别为850MPa和801 MPa,硬度为240HV,电导率为45%IACS.     

低温烧结型银浆料对半导体芯片贴装性能的影响

研究低温烧结型银／玻璃体系浆料的成分配比、制备工艺及其半导体芯片贴装烧结工艺,探讨浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的成分对浆料烧结体的微观组织、热导率、线膨胀系数及芯片组装的剪切力之间的影响关系,利用理论模型计算浆料烧结体的热导率和线膨胀系数,分析其理论计算值与实测值差异的影响因素。结果表明：随着玻璃粉含量的增加,浆料烧结体的线膨胀系数及热导率逐渐降低,当银粉和玻璃粉的质量比为7：3,固体混合粉末与有机载体的质量比为8：2时,芯片贴装后可满足热导率和线膨胀系数性能的要求,同时所承受的剪切力最大。     

混合电容器多孔氧化钌阴极涂层的制备与表征

采用电沉积方法制备了混合电容器钽基多孔氧化钌阴极涂层材料,探讨了电沉积过程中电沉积液的pH值随电沉积时间的变化关系,研究了电沉积时间对氧化钌沉积质量的影响.用X射线衍射和扫描电镜分别表征了热处理前后的涂层结构及涂层的多孔形貌,用循环伏安法测量了涂层的电容,并研究了热处理温度对电容量大小及其稳定性的影响.结果表明:电沉积的氧化钌为非晶态,涂层为纳米多孔结构;热处理有利于涂层孔隙结构及大小的均匀性,不同温度的热处理使涂层具有不同的电容,经热处理后涂层的电容稳定;经100℃热处理1 h后的多孔氧化钌涂层具有最大的比电容.