氮气氛下直拉硅棒的机械强度分布

用测试抗弯强度的方法测定了氮气氛下直拉硅(NCZ-Si)棒轴向机械强度分布。与红外分析结果比较表明,含氮 CZ-Si 中 N-N 对的浓度对硅棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用。碳浓度达2×10~(17)cm(-3)时,对硅棒强度无显著影响。     

含氮CZ硅力学行为研究

用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。     

硅片的抗弯强度及其测量

研究了硅片抗弯强度，提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．     

锗单晶晶变机理的探讨

直拉“111”锗单晶生长界面棱线处过冷度较大,容易形成偏离原晶向的稳定晶核,而且生成与生长轴成19°28＇双晶需要能量小,并更有利于“111”密排面优先扩展。所以在过冷度最大的棱线小截面顶点开始出现19°28＇双晶是可能的晶变机理、影响晶变因素的实验证明了较大的过冷度是晶变的先决条件。利用这种观点。解决了拉晶过程中出现的晶变问题,在生产上收到了显著的经济效果。     

氧含量对硅片机械强度的影响

采用氧含量不同的直拉和区熔硅单晶,进行三点弯法测抗弯强度,研究硅中氧含量对硅片强度的影响。     

硅片高温翘曲与常温机械强度

不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度有内在联系．抗弯强度不仅表示硅片在常温下的抗破碎能力，而且也反应了高温抗翘曲和弯曲能力．